[發明專利]等離子顯示屏的介質保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏

有效

• 申請號: 201110455920.9
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102522296A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 邢芳麗;羅向輝
• 申請（專利權）人: 四川虹歐顯示器件有限公司
• 主分類號: H01J11/40
• 分類號: H01J11/40;H01J11/10
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;余剛

技術領域

本發明涉及氣體放電技術領域，具體而言涉及一種等離子顯示屏的介質保護膜及其制作方法和含有其的等離子顯示屏。

背景技術

等離子體顯示器是一種利用氣體放電產生紫外線，進而激發熒光粉發出可見光而顯像的一種顯示器。等離子顯示屏是實現放電發光的主要結構，其由前后兩個基板組成。在前基板上，設置有橫向維持電極和掃描電極、以及之上的介質層和介質保護膜；在后基板上，設置有縱向的尋址電極和障壁結構，放電發生在前后基板及障壁所組成的空間內。等離子顯示屏的放電性能決定著等離子顯示屏的亮度、光效、功耗等指標，而提高放電性能的主要手段是提高等離子顯示屏介質保護膜的性能。

當前，等離子體顯示屏介質保護膜最為成熟的材料為MgO，其具有耐濺射性能優良、電阻率高、二次電子發射系數高、高可見光透過率等特點。該介質保護膜能夠有效保護前基板的電極和介質層、延長等離子顯示屏的使用壽命、存儲壁電荷、發揮內存效果、降低電壓、限制放電電流，從而改善等離子顯示屏的放電性能。

通常評價作為保護膜的氧化鎂層，其結晶性與晶粒大小是關鍵的指標，結晶性越好，晶粒越大，其發射二次電子的能力及抗離子濺射的能力就越強，使用其的等離子顯示屏的放電電壓越低。但是現有技術得到的氧化鎂層的結晶度以及晶粒都存在一定缺陷，不能滿足等離子顯示屏對放電電壓越來越高的要求，因此，亟需一種高結晶度大晶粒的氧化鎂層作為介質保護膜。

發明內容

本發明旨在提供等離子顯示屏的介質保護膜，以解決現有技術中介質保護膜的結晶度低、晶粒小導致等離子顯示屏的放電電壓高的問題。

根據本發明的一個方面，提供了一種等離子顯示屏介質保護膜的制作方法，包括以下步驟：1)在介質層上形成晶種層；2)在晶種層上形成介質保護膜。

進一步地，上述形成晶種層的方法包括：將晶種通過漿料涂布、噴涂、靜電吸附、物理摩擦或化學反應生成形成在介質層上。

進一步地，上述形成介質保護膜的方法是將介質保護膜材料通過真空沉積法形成在晶種層上。

進一步地，上述晶種包括：MgO單晶顆粒；摻雜型MgO晶體，其中，摻雜元素包括Ca、Zn、Si、Sc、Ti和Ni中的一種或多種，摻雜型MgO晶體為物理混合物、固溶體或合金；或者選自由碳納米管、ZnO、BeO、CaO、SrO、BaO、La2O5、LaB₆、Mo和W組成的組中的任意一種或多種。

進一步地，上述真空沉積法包括：電子束蒸鍍法、離子鍍法、濺射法和化學氣相沉積法。

進一步地，上述晶種的粒徑為5～1000nm，晶種層的厚度為10～1000nm，覆蓋度為0.1～100％。

進一步地，上述介質保護膜的厚度為50～1000nm。

根據本發明的另一方面，還提供了一種等離子顯示屏的介質保護膜，介質保護膜通過上述制作方法得到。

根據本發明的又一方面，還提供了一種等離子顯示屏，包括：前基板、PDP放電電極和后基板，前基板包含上述介質保護膜。

本發明達到的技術效果：根據本發明的制作方法工藝過程簡單，按照現有設備即可實施，而且，得到的介質保護膜的晶粒較大、結晶度更高，含有其的等離子顯示屏具有更低的放電電壓。

除了上面所描述的目的、特征和優點之外，本發明還有其它的目的、特征和優點。下面將參照圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

附圖說明

說明書附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1示出了根據本發明實施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最小著火電壓與老練時間的關系曲線圖；

圖2示出了根據本發明實施例1-5和對比例1的等離子顯示屏的最大滅火電壓與老練時間的關系曲線圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明的實施例中的技術方案進行詳細的說明，但如下實施例以及附圖僅是用以理解本發明，而不能限制本發明，本發明可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。

在本發明的一種典型的實施方式中，提供了一種等離子顯示屏介質保護膜的制作方法，包括以下步驟：1)在介質層上形成晶種層；2)在晶種層上形成介質保護膜。這種保護膜的制作方法在介質層上布置晶種，形成晶種層，介質保護膜的材料在晶種的引發下可以形成結晶度較高的介質保護膜。