[發(fā)明專利]一種納米SiO₂添加的防水抗靜電布料的生產(chǎn)方法無效

申請?zhí)枺?/td>	201110455289.2	申請日：	2011-12-31
公開（公告）號：	CN102587123A	公開（公告）日：	2012-07-18
發(fā)明（設(shè)計）人：	潘雪峰	申請（專利權(quán)）人：	潘雪峰
主分類號：	D06M11/79	分類號：	D06M11/79
代理公司：	南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200	代理人：	李紀昌
地址：	215227 江蘇省蘇州市吳***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	一種納米 sio sub 添加防水抗靜電布料生產(chǎn) 方法
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【權(quán)利要求書】：

1.一種納米SiO₂添加的防水抗靜電布料的生產(chǎn)方法，其特征在于：將二氧化硅顆粒分散到乙二醇中，得到含二氧化硅的懸浮液，二氧化硅與乙二醇的重量體積比為60～100克／升，將二氧化硅的懸浮液升溫至170~190℃，將布料連續(xù)通過二氧化硅的懸浮液，停留時間為3~8min，然后進入烘干裝置，最后壓燙使布料表面形成納米二氧化硅涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米SiO₂添加的防水抗靜電布料的生產(chǎn)方法，其特征在于：所述二氧化硅顆粒的粒徑為100～700nm。

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