[發明專利]鰭式場效應晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201110454092.7
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN103187286A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 陳勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

沉積氧化層和硬掩膜層；

選擇性刻蝕所述硬掩膜層和氧化層，露出半導體襯底；

形成半導體單晶材料層，所述半導體單晶材料層高過所述硬掩膜層；

在所述半導體單晶材料層上進行化學機械研磨至露出所述硬掩膜層；

除去所述硬掩膜層，保留所述半導體單晶材料層。

2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，選擇性刻蝕所述硬掩膜層和氧化層包括：

利用光刻膠作為掩膜刻蝕所述硬掩膜層；

去除光刻膠；

利用硬掩膜層作為掩膜干法刻蝕所述氧化層。

3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底為體硅襯底。

4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化層的材質為氧化硅。

5.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成半導體單晶材料層的方法為進行硅外延生長。

6.如權利要求5所述的制作方法，其特征在于，進行所述硅外延生長之前還包括在H₂氛圍中進行烘烤的步驟，烘烤的溫度為600～1100℃，時間為10～60s。

7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述形成半導體單晶材料層的方法為外延生長Si_xGe_(1-x)，其中，80％＞x＞0。

8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，外延生長的Si_xGe_(1-x)層的x值從所述半導體襯底開始往上逐步升高。

9.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜層的材質為氮化硅，其厚度大于鰭的設計高度。

10.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除所述硬掩膜層后，還包括對所述半導體單晶材料層進行圓角處理。

11.如權利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述對半導體單晶材料層進行圓角處理的方法為對半導體單晶材料層進行熱氧化形成氧化物，再去除氧化物。