[發明專利]一種半導體結構及其形成方法有效
| 申請號： | 201110453891.2 | 申請日： | 2011-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103187498A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 陳飛 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 結構 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體結構，其特征在于，包括：
襯底；
形成在所述襯底之上的緩沖層；
形成在所述緩沖層之上的第一類型氮化物層；
形成在所述第一類型氮化物層之上的量子點結構，其中，所量子點結構包括閃鋅礦InxGa(1-x)N量子點，其中，0≤x≤1；以及
形成在所述量子點結構之上的第二類型氮化物層。
2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述量子點結構包括：
氮化物過渡層；
形成在所述氮化物過渡層之上的量子點層，所述量子點層包括閃鋅礦InxGa(1-x)N量子點；
形成在所述量子點層之上的低溫氮化物覆蓋層；以及
形成在所述低溫氮化物覆蓋層之上的高溫氮化物覆蓋層。
3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述氮化物為GaN。
4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，所述第一類型氮化物層為N型GaN，所述第二類型氮化物層為P型GaN。
5.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
形成在所述第二類型氮化物層和所述量子點結構之間的阻擋層。
6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述襯底為Si襯底、GaN襯底或藍寶石襯底。
7.如權利要求4所述的半導體結構，其特征在于，還包括：
形成在所述緩沖層和所述第一類型氮化物層之間的非摻雜GaN。
8.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述量子點層為多層。
9.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述阻擋層為AlGaN。
10.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供襯底；
在所述襯底之上形成緩沖層；
在所述緩沖層之上形成第一類型氮化物層；
在所述第一類型氮化物層之上形成氮化物過渡層；
在所述氮化物過渡層之上形成InxGa(1-x)N層，其中，0≤x≤1；
在所述InxGa(1-x)N層之上形成氮化物覆蓋層；
退火以使所述InxGa(1-x)N層形成閃鋅礦InxGa(1-x)N量子點層；以及
在所述氮化物覆蓋層之上形成第二類型氮化物層。
11.如權利要求10所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氮化物覆蓋層包括低溫氮化物覆蓋層，和位于所述低溫氮化物覆蓋層之上的高溫氮化物覆蓋層。
12.如權利要求10或11所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述氮化物為GaN。
13.如權利要求12所述半導體結構的形成方法，其特征在于，
在NH3中退火，且所述退火溫度為800-950℃，所述退火時間為10-40分鐘。
14.如權利要求10所述半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一類型氮化物層為N型GaN，所述第二類型氮化物層為P型GaN。
15.如權利要求10所述半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：
在所述第二類型氮化物層和所述量子點結構之間形成阻擋層。
16.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層為AlGaN。
17.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底。
18.如權利要求10所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：
在所述緩沖層和所述第一類型氮化物層之間形成非摻雜GaN。
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