[發明專利]摻雜薄膜層在襯底上的連續沉積的氣相沉積裝置和方法

有效

• 申請號: 201110452844.6
• 申請日: 2011-12-20
• 公開（公告）號: CN102534509A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: S·D·費爾德曼-皮博迪;M·J·帕沃爾
• 申請（專利權）人: 初星太陽能公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C16/448;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 嚴志軍;楊楷

1.一種用于將升華的源材料作為薄膜氣相沉積在光伏(PV)模塊襯底上的裝置，所述裝置包括：

沉積頭；

第一進料管道，其構造為將源材料供給到所述沉積頭中；

第二進料管道，其構造為將固體摻雜劑材料供給到所述沉積頭中；

設置在所述沉積頭中的容器，所述容器構造為用于從所述第一進料管道接受所述源材料；

加熱的分配歧管，其構造為加熱所述容器；和

分配板，其設置在所述容器下面，并位于通過所述裝置傳送的襯底的上表面的水平傳送面上方的限定距離處，所述分配板包括貫穿其中的通道圖案。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第二進料管道構造為將所述摻雜劑材料供給所述容器。

3.根據權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一進料管道和所述第二進料管道連接在包括多個排放口的分配器上，所述多個排放口構造為將所述源材料和所述摻雜劑材料分配到所述容器中。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述分配器設置在所述沉積頭的頂壁中的開口中。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述容器包括橫向延伸的端壁和縱向延伸的側壁，所述端壁與所述沉積頭間隔開距離，使得所述升華的源材料主要作為橫向延伸的前簾和后簾流過所述端壁，并向下穿過所述分配歧管。

6.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，在所述沉積頭的各個縱向末端處還包括橫向延伸的密封件，所述密封件限定用于通過所述裝置傳送的襯底的入口槽和出口槽，所述密封件設置在所述襯底的上表面以上的距離處，該距離小于所述襯底的表面和所述分配板之間的距離。

7.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括設置在所述分配歧管和所述容器之間的碎屑護罩。

8.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述加熱的分配歧管設置在所述容器下面，并且其中所述分配歧管包括貫穿其中限定的多個通道，所述容器被所述分配歧管間接加熱至足以使所述源材料在所述容器內升華的程度。

9.一種用于將升華的源材料作為薄膜氣相沉積在光伏(PV)模塊襯底上的裝置，所述裝置包括：

沉積頭；

第一進料管道，其構造為將源材料供給到所述沉積頭中；

第二進料管道，其構造為將摻雜劑材料作為固體供給到所述沉積頭中；

設置在所述沉積頭中的容器，所述容器構造為用于接受源材料；

設置在所述容器下面的加熱的分配歧管，所述分配歧管包括貫穿其中限定的多個通道，所述容器被所述分配歧管間接加熱至足以使所述源材料在所述容器內升華的程度；以及

分配板，其設置在所述容器下面，并位于通過所述裝置傳送的襯底的上表面的水平傳送面上方的限定距離處，所述分配板包括貫穿其中的通道圖案。

10.根據權利要求9所述的裝置，其特征在于，所述第二進料管道構造為將所述摻雜劑材料供給所述容器。

11.根據權利要求10所述的裝置，其特征在于，所述第一進料管道和所述第二進料管道連接在包括多個排放口的分配器上，所述多個排放口構造為將所述源材料和所述摻雜劑材料分配到所述容器中。

12.一種用于使升華的源材料氣相沉積，從而在光伏模塊襯底上形成薄膜的方法，所述方法包括：

將源材料供給至沉積頭內的容器；

將摻雜劑材料供給至所述沉積頭，其中所述摻雜劑材料處于固態；

加熱所述容器，以使所述源材料和所述摻雜劑材料升華；

在所述容器下面傳送單獨的襯底；和

將升華的源材料分配到所述襯底的上表面之上，使得所述襯底的前段和后段在傳送方向上暴露于大致相同的氣相沉積條件，從而在所述襯底的上表面上獲得期望的基本均勻的薄膜層厚度。

13.根據權利要求12所述的方法，其特征在于，所述摻雜劑材料被供給所述容器，并且其中所述摻雜劑材料隨所述源材料一起升華。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述源材料通過第一進料管道而供給所述容器，并且其中所述摻雜劑材料通過第二進料管道而供給所述容器。