[發明專利]一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法

有效

• 申請號: 201110451756.4
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102534666A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 譚毅;李亞瓊;李佳艷;李超超;武深瑞;劉瑤
• 申請（專利權）人: 大連理工大學
• 主分類號: C25C3/06
• 分類號: C25C3/06;C25B1/00
• 代理公司: 大連星海專利事務所 21208
• 代理人: 徐淑東

1.一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于，具體步驟如下:?(1)合金精煉提純：采用合金精煉法對金屬鋁和冶金硅的混合原料進行熔煉，去除冶金硅中的雜質硼，從而得到鋁硅合金；(2)?電解分離：鋁硅合金作為陽極，不銹鋼作為陰極，低溫熔鹽作為電解液，進行恒電流電解，陽極富集的陽極泥為多晶硅，陰極富集鋁；（3）后處理：將陽極富集的多晶硅進行破碎、酸洗除雜、去離子水清洗、過濾和干燥，獲得低硼的多晶硅，將陰極富集的鋁進行清洗、干燥獲得高純鋁。

2.根據權利要求1所述的一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于：所述（1）合金精煉提純中金屬鋁的純度為質量分數90%-99%，冶金硅的純度為質量分數98%-99%。

3.根據權利要求1所述的一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于：所述（1）合金精煉提純的具體工藝參數為：熔煉溫度為700-1400℃，保溫時間為0.5-4h，降溫速度為0.1-20℃/min。

4.根據權利要求1所述的一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于：所述（1）合金精煉提純中鋁硅合金中金屬鋁的質量分數為20%-80%。

5.根據權利要求1所述的一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于：所述（2）電解分離中的低溫熔鹽為NaCl-AlCl₃或NaCl-AlCl₃-KCl，其中AlCl₃的摩爾分數為30%-65%。

6.根據權利要求1所述的一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于：所述（2）電解分離具體工藝參數為：電流密度10-200?mA/cm²，電解溫度60-300℃，電解時間0.5-6h。

7.根據權利要求1所述的一種高純硅與高純鋁的電化學雙精煉提純的方法，其特征在于：所述（3）后處理中酸洗除雜的酸試劑為鹽酸、氫氟酸、硝酸、硫酸和王水中的一種或幾種，酸濃度為1.0~6.0mol/L。