[發明專利]一種在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法無效
| 申請號： | 201110449965.5 | 申請日： | 2011-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN103187264A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 王兆祥;杜若昕;劉俊良;劉志強 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王潔 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 等離子體 刻蝕 室內 氧化 方法 | ||
1.一種在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的氧化硅層位于光刻膠掩膜層下方，厚度小于100納米；
所述的等離子體刻蝕室包括一上電極和一下電極，所述的下電極上設置一靜電吸盤，所述靜電吸盤上放置待處理晶片；
所述下電極連接一射頻電源，所述射頻電源的頻率為小于27兆赫茲，功率小于1000瓦；
所述等離子體刻蝕室內反應氣體中氟碳化合物和氧化物含量的比例范圍為1∶3-10∶1。
2.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的下電極連接的射頻功率頻率為13.56兆赫茲。
3.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述等離子體刻蝕室內還包括氬氣，所述氬氣進入等離子體刻蝕室的流速為200-2000sccm。
4.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述等離子體刻蝕室內的氣壓小于100毫托。
5.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的碳氟化合物包括CF4，所述CF4和氧化物含量范圍比為1∶2-10∶1。
6.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的碳氟化合物包括C4F8，所述C4F8和氧化物含量范圍比為1∶3-2∶1。
7.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕室內的刻蝕速率低于1500埃/分鐘。
8.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕室內的刻蝕速率為500埃/分鐘。
9.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述的等離子體刻蝕室內的刻蝕速率為200埃/分鐘。
10.根據權利要求1所述的在等離子體刻蝕室內刻蝕氧化硅層的方法，其特征在于：所述刻蝕氧化硅層的方法進一步包括刻蝕完氧化硅層后去除光刻膠掩膜層的步驟，所需反應氣體主要為含氧氣體。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
