[發明專利]去耦合元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110447553.8
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN103107021A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 潘苡秀;鄭宇庭;蔡麗端;陳啟倫;鄭丞良
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: H01G9/048
• 分類號: H01G9/048;H01G9/15;H01G9/26
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;梁揮

技術領域

本發明是有關于一種去耦合元件，且特別是有關于一種具有良好的元件特性的去耦合元件。

背景技術

固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用于中央處理器(Central?Processing?Unit，CPU)的電源電路的去耦合(Decoupling)作用上。

一般而言，可在導線架上堆迭多個電容單元來形成具有高電容量的固態電解電容器。圖25為一種固態電解電容器的局部示意圖。請參照圖25，在固態電解電容器400中，多個電容單元410堆迭在導線架420上。每一電容單元410具有陰極部412與陽極部414。導線架420具有陰極端子422與陽極端子424。堆迭完成后的多個陽極部414藉由陽極焊點430而彼此電性連接到陽極端子424。然而，固態電解電容器400還需進行后續的熱處理測試，此時，外來水氣W與熱能H容易使得陽極焊點430氧化絕緣或剝落，造成多個陽極部414之間的電性連接不良，電容量將等比例巨幅下降。

再者，若外來水氣W滲入電容單元410的陰極部412中，將造成假性電容量和固態電解電容器400的單位時間內因發熱而消耗的能量(損耗因子，Dissipation?Factor)升高，以及固態電解電容器400的可靠性下降等問題。

發明內容

本發明的實施例提供一種去耦合元件，具有保護內部元件的保護層，能夠防止外界的水氣與氧氣對于去耦合元件的內部元件產生破壞，進而使去耦合元件具有良好的元件特性。

本發明的實施例提出一種去耦合元件的制造方法，能夠制造出上述的去耦合元件。

本發明實施例的去耦合元件包括：導線架、多個電容單元、保護層以及封裝元件。導線架包括：陰極端子部，及位于陰極端子部的兩端而彼此對向的至少兩個陽極端子部，兩陽極端子部是利用導電線而彼此電性相連。多個電容單元相互并聯且設置在導線架上，每一電容單元具有彼此對向的陰極部與陽極部，陰極部電性連接到陰極端子部，陽極部電性連接到陽極端子部。保護層至少包覆電容單元的陽極部與陰極部至少其中之一。封裝元件覆蓋導線架、電容單元以及保護層，且封裝元件露出導線架的底面。

在本發明的一實施例中，上述的保護層的材料是選自于硅樹脂(silicon?resin)、硅橡膠(silicon?rubber)、環氧樹脂(epoxy?resin)、聚酰亞胺(polyimide)、聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene，PTFE)、聚氨基甲酸酯(polyurethane)、液晶塑膠(liquid?crystal?plastic)及其組合。

在本發明的一實施例中，上述的多個電容單元位于同一平面上彼此并聯排列，且設置在導線架上。

在本發明的一實施例中，上述的多個電容單元彼此交錯堆迭并聯排列，且設置在導線架上。

在本發明的一實施例中，上述的去耦合元件更包括：多個導電間隙物，位于彼此堆迭的電容單元的陽極部之間。

在本發明的一實施例中，上述的陰極端子部具有一空隙，且導電線設置于該空隙中。

在本發明的一實施例中，上述的導電線為連續彎曲結構。

在本發明的一實施例中，上述的去耦合元件更包括一具有電感特性的元件，串聯或并聯于導電線。

在本發明的一實施例中，上述的陰極端子部更包括：粗糙化結構，位于陰極端子部的表面。

在本發明的一實施例中，上述的封裝元件為一封裝層，封裝層部分包覆電容單元以及導線架，封裝層露出陰極端子部與陽極端子部的底面。

在本發明的一實施例中，上述的陰極端子部與陽極端子部更包括：一嵌接結構，設置于陰極端子部的邊緣以及陽極端子部的邊緣，且嵌接結構卡合于封裝層中。

在本發明的一實施例中，上述的封裝層完全包覆導電線、或露出部分導電線。

在本發明的一實施例中，上述的封裝元件包括：彼此對向的第一蓋體以及第二蓋體，第一蓋體與第二蓋體包覆電容單元，且第一蓋體露出陰極端子部與陽極端子部的底面。

在本發明的一實施例中，上述的封裝元件包括：一第一蓋體以及一封裝層，第一蓋體露出陰極端子部與陽極端子部的底面，且封裝層填入到第一蓋體中，第一蓋體與封裝層包覆所述電容單元。

在本發明的一實施例中，上述的陰極端子部與陽極端子部更包括：一嵌接結構，設置于陰極端子部的邊緣以及陽極端子部的邊緣，且嵌接結構卡合于第一蓋體。

在本發明的一實施例中，上述的去耦合元件更包括：至少一陶瓷電容，并聯于陰極端子部與陽極端子部之間。