[發(fā)明專利]去耦合元件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110447553.8
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN103107021A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發(fā)明（設計）人: 潘苡秀;鄭宇庭;蔡麗端;陳啟倫;鄭丞良
• 申請（專利權(quán)）人: 財團法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類號: H01G9/048
• 分類號: H01G9/048;H01G9/15;H01G9/26
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 祁建國;梁揮

1.一種去耦合元件，包括：

一導線架，包括：一陰極端子部，及位于該陰極端子部的兩端而彼此對向的至少兩個陽極端子部，兩個所述陽極端子部是利用一導電線而彼此電性相連；以及

多個電容單元，所述電容單元相互并聯(lián)且設置在該導線架上，每一所述電容單元具有彼此對向的一陰極部與一陽極部，該陰極部電性連接到該陰極端子部，該陽極部電性連接到該陽極端子部；

一保護層，至少包覆所述電容單元的該陽極部與該陰極部至少其中之一；以及

一封裝元件，覆蓋該導線架、所述電容單元以及該保護層，且該封裝元件露出該導線架的底面。

2.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該保護層的材料是選自于硅樹脂、硅橡膠、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、聚四氟乙烯、聚氨基甲酸酯、液晶塑膠及其組合。

3.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，所述電容單元位于同一平面上彼此并聯(lián)排列，且設置在該導線架上。

4.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，所述電容單元彼此交錯堆迭并聯(lián)排列，且設置在該導線架上。

5.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，進一步包括：多個導電間隙物，位于彼此堆迭的所述電容單元的所述陽極部之間。

6.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該陰極端子部具有一空隙，且該導電線設置于該空隙中。

7.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該導電線為連續(xù)彎曲結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，進一步包括一具有電感特性的元件，串聯(lián)或并聯(lián)于該導電線。

9.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該陰極端子部進一步包括：一粗糙化結(jié)構(gòu)，位于該陰極端子部的表面。

10.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該封裝元件為一封裝層，該封裝層部分包覆所述電容單元以及該導線架，該封裝層露出該陰極端子部與所述陽極端子部的底面。

11.如權(quán)利要求10所述的去耦合元件，其特征在于，該陰極端子部與所述陽極端子部更包括：一嵌接結(jié)構(gòu)，設置于該陰極端子部的邊緣以及所述陽極端子部的邊緣，且該嵌接結(jié)構(gòu)卡合于該封裝層中。

12.如權(quán)利要求10所述的去耦合元件，其特征在于，該封裝層完全包覆該導電線或露出部分該導電線。

13.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該封裝元件包括：彼此對向的一第一蓋體以及一第二蓋體，該第一蓋體與該第二蓋體包覆所述電容單元，且該第一蓋體露出該陰極端子部與所述陽極端子部的底面。

14.如權(quán)利要求13所述的去耦合元件，其特征在于，該陰極端子部與所述陽極端子部進一步包括：一嵌接結(jié)構(gòu)，設置于該陰極端子部的邊緣以及所述陽極端子部的邊緣，且該嵌接結(jié)構(gòu)卡合于該第一蓋體。

15.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，該封裝元件包括：一第一蓋體以及一封裝層，該第一蓋體露出該陰極端子部與所述陽極端子部的底面，且該封裝層填入到該第一蓋體中，該第一蓋體與該封裝層包覆所述電容單元。

16.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，進一步包括：至少一陶瓷電容，并聯(lián)于該陰極端子部與所述陽極端子部之間。

17.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，進一步包括：一電磁波阻隔板，覆蓋于所述電容單元的上方。

18.如權(quán)利要求17所述的去耦合元件，其特征在于，該電磁波阻隔板與所述電容單元為電性連接。

19.如權(quán)利要求1所述的去耦合元件，其特征在于，每一所述電容單元包括：

一閥金屬層；

一介電層，形成于該閥金屬層上；

一導電高分子層，形成于該介電層上；以及

一陰極導電層，形成于該導電高分子層上。

20.如權(quán)利要求19所述的去耦合元件，其特征在于，每一所述電容單元為鉭質(zhì)電容的電容單元，

該閥金屬層為鉭金屬，該介電層為鉭氧化物，該陰極導電層為碳膠-銀膠混合物，

其中，該陽極部至少包括一延伸導電線，電性連接于該陽極端子部。