[發(fā)明專利]基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器及制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110446634.6 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102544349A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉景全;唐剛;楊斌;楊春生;杉山進(jìn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海交通大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L41/083 | 分類號(hào)： | H01L41/083;H01L41/22;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國(guó)中 |
| 地址： | 200240 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 pmnt 壓電 mems 寬頻 振動(dòng) 能量 采集 制備 方法 | ||
1.一種基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，包括：硅固定基座、支撐層、PMNT壓電薄膜層和質(zhì)量塊，其中，所述硅固定基座、支撐層、PMNT壓電薄膜層依次貼合形成多層結(jié)構(gòu)，所述多層結(jié)構(gòu)的一端懸空，所述的質(zhì)量塊固定在所述多層結(jié)構(gòu)的自由端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，所述的支撐層為碳纖維或玻璃纖維薄膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，所述的PMNT壓電薄膜層，其表面覆蓋電極層，其中，電極層為Cr、Ni、CrAu合金或TiPt合金制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，所述的PMNT壓電薄膜層，是在支撐層上先通過(guò)導(dǎo)電環(huán)氧樹(shù)脂鍵合PMNT壓電單晶，再減薄PMNT制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，所述的質(zhì)量塊為裝滿液體的容器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，所述的容器是指采用MEMS方法制備的空心容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器，其特征在于，所述的液體為室溫下液體金屬。
8.一種根據(jù)上述任一權(quán)利要求所述的基于PMNT壓電單晶的MEMS寬頻振動(dòng)能量采集器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
第一步，支撐層與硅固定基座的鍵合。
第二步，在支撐層上通過(guò)鍵合和減薄方法制備PMNT壓電薄膜。
第三步，在PMNT壓電薄膜表面上制備電極。
第四步，制備質(zhì)量塊。
第五步，采用切片機(jī)切割圖形化PMNT壓電薄膜。
第六步，使用微加工工藝制備壓電能量采集器結(jié)構(gòu)。
第七步，焊接電導(dǎo)線，極化壓電片。
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