[發明專利]應用于高壓升壓型DC-DC轉換器中的抗振鈴電路有效

申請號：	201110442833.X	申請日：	2011-12-24
公開（公告）號：	CN102437730A	公開（公告）日：	2012-05-02
發明（設計）人：	來新泉;葉強;李亞軍;毛翔宇;張震	申請（專利權）人：	西安啟芯微電子有限公司
主分類號：	H02M1/44	分類號：	H02M1/44
代理公司：	陜西電子工業專利中心 61205	代理人：	王品華
地址：	710075 陜西省西安市高***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	應用于高壓升壓 dc 轉換器中的振鈴電路
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【權利要求書】：

1.一種應用于高壓升壓型DC-DC轉換器中的抗振鈴電路，包括控制電路、PMOS管M₃和PMOS管M₄，該PMOS管M₃和M₄的源極相連，輸出電壓V_H連接到電平移位電路的輸入端，漏極分別接電感的兩端；控制電路的輸出信號V_C連接到高壓PMOS管M₃和M₄的柵極，用于控制M₃和M₄的導通與截止，消除振鈴；其特征在于：PMOS管M₃和PMOS管M₄均采用源極和漏極間耐壓值大于12V的高壓PMOS管；控制電路的輸入端連接有電平移位電路，用于保證控制電路的輸出信號V_C邏輯高低變化的壓差不超過5V，防止高壓PMOS管M₃和M₄因源極和柵極的壓差過大而擊穿；

所述的電平移位電路，包括偏置電流源電路、漏極和源極間耐壓值大于12V的高壓NMOS管M₅、兩個高壓PMOS管M₈，M₉和兩個各極耐壓值均小于5V的低壓PMOS管M₆、M₇；該高壓NMOS管M₅的漏極接DC-DC的輸出電壓V_OUT，柵極接高壓PMOS管M₃和M₄源極的輸出電壓V_H，源極與低壓PMOS管M₆、M₇串聯后連接到高壓PMOS管M₈的源極；高壓PMOS管M₈的柵極與高壓PMOS管M₉的柵極連接，高壓PMOS管M₉的漏極接零電平，源極輸出電壓V_L，連接到控制電路；該偏置電流源電路有兩個輸出端，分別與高壓PMOS管M₈的漏極和高壓PMOS管M₉的源極相連，為這兩個高壓PMOS管提供恒定電流。

2.根據權利要求1所述的抗振鈴電路，其特征在于所述的偏置電流源電路，包括電流源I₁，電阻R，三個高壓NMOS管M₁₀、M₁₁、M₁₂，兩個高壓PMOS管M₁₈、M₁₉，三個各極耐壓值均小于5V低壓NMOS管M₁₃、M₁₄、M₁₅和兩個低壓PMOS管M₁₆、M₁₇；

所述高壓NMOS管M₁₀與低壓NMOS管M₁₃串聯連接，高壓NMOS管M₁₁與低壓NMOS管M₁₄串聯連接；高壓NMOS管M₁₂與低壓NMOS管M₁₅串聯連接；三個高壓NMOS管M₁₀、M₁₁、M₁₂的柵極相連，三個低壓NMOS管M₁₃、M₁₄、M₁₅的柵極相連，源極接零電平，構成共源共柵電流鏡；高壓NMOS管M₁₂的漏極連接到高壓PMOS管M₈的漏極，為高壓PMOS管M₈提供恒定電流I₂；

所述高壓PMOS管M₁₈與低壓PMOS管M₁₆串聯連接，高壓PMOS管M₁₉與低壓PMOS管M₁₇串聯連接；高壓PMOS管M₁₈與M₁₉的柵極相連，低壓PMOS管M₁₆和M₁₇的柵極相連，源極接DC-DC的輸出電壓V_OUT，構成共源共柵電流鏡；高壓PMOS管M₁₈的漏極連接到高壓NMOS管M₁₁的漏極，高壓PMOS管M₁₉的漏極連接到高壓PMOS管M₉的源極，為高壓PMOS管M₉提供恒定電流I₃。