[發明專利]光阻圖案形成方法

有效

• 申請號: 201110442517.2
• 申請日: 2009-07-10
• 公開（公告）號: CN102520581A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 渡邊聰;田中啟順;渡邊武;金生剛
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;G03F7/004;G03F7/038
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 崔香丹;張永康

1.一種光阻圖案形成方法，其是在最表面形成有鉻化合物膜的空白光掩模上的光阻圖案形成方法，其至少包含下述步驟：將化學增幅型光阻組合物涂布于在最表面形成有鉻化合物膜的空白光掩模上，通過加熱除去涂布膜上殘留的過剩的溶劑成分，得到光阻膜的步驟；利用高能量線來進行圖案曝光的步驟；以及使用顯影液來顯影的步驟，

其特征在于，該化學增幅型光阻組合物，含有：

(A1)基礎樹脂，其是以酸不穩定基保護而具有酸性官能基的堿不溶性或難溶性的樹脂，當該酸不穩定基脫離時會變成堿可溶性；

(B)酸產生劑；及

(C)1種或2種以上的具有羧基且不含有共價鍵結于堿性中心即氮上的氫的胺化合物，但排除胺的氮原子被包含于芳香環的環狀結構的情形，并且是以下述一般式(1)或一般式(3)表示的具有羧基的胺化合物，

上式(1)中，R₁、R₂分別是碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳數6～20的芳基、碳數7～20的芳烷基、碳數2～10的羥烷基、碳數2～10的烷氧基烷基、碳數2～10的酰氧基烷基、碳數1～10的烷硫基烷基的任一種；又，R₁與R₂也可鍵結而形成環狀結構；R₃是氫、碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳數6～20的芳基、碳數7～20的芳烷基、碳數2～10的羥烷基、碳數2～10的烷氧基烷基、碳數2～10的酰氧基烷基、碳數1～10的烷硫基烷基、鹵素基的任一種；R₄則是碳數0～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基、碳數6～20的亞芳基，

上式(3)中，R₅是碳數2～20的直鏈狀或支鏈狀的可取代的亞烷基，但亞烷基的碳-碳間也可含有1個或多個羰基、醚基、酯基、硫醚基；又，R₆是碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基、碳數6～20的亞芳基。

2.一種光阻圖案形成方法，其是在最表面形成有鉻化合物膜的空白光掩模上的光阻圖案形成方法，其至少包含下述步驟：將化學增幅型光阻組合物涂布于在最表面形成有鉻化合物膜的空白光掩模上，通過加熱除去涂布膜上殘留的過剩的溶劑成分，得到光阻膜的步驟；利用高能量線來進行圖案曝光的步驟；以及使用顯影液來顯影的步驟，

其特征在于，該化學增幅型光阻組合物，含有：

(A2)堿可溶性且通過酸催化劑而變成堿不溶性的基礎樹脂、及/或堿可溶性且通過酸催化劑而與交聯劑反應并變成堿不溶性的基礎樹脂與交聯劑的組合；

(B)酸產生劑；及

(C)1種或2種以上的具有羧基且不含有共價鍵結于堿性中心即氮上的氫的胺化合物，但排除胺的氮原子被包含于芳香環的環狀結構的情形，并且是以下述一般式(1)或一般式(3)表示的具有羧基的胺化合物，

上式(1)中，R₁、R₂分別是碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳數6～20的芳基、碳數7～20的芳烷基、碳數2～10的羥烷基、碳數2～10的烷氧基烷基、碳數2～10的酰氧基烷基、碳數1～10的烷硫基烷基的任一種；又，R₁與R₂也可鍵結而形成環狀結構；R₃是氫、碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的烷基、碳數6～20的芳基、碳數7～20的芳烷基、碳數2～10的羥烷基、碳數2～10的烷氧基烷基、碳數2～10的酰氧基烷基、碳數1～10的烷硫基烷基、鹵素基的任一種；R₄則是碳數0～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基、碳數6～20的亞芳基，

上式(3)中，R₅是碳數2～20的直鏈狀或支鏈狀的可取代的亞烷基，但亞烷基的碳-碳間也可含有1個或多個羰基、醚基、酯基、硫醚；又，R₆是碳數1～20的直鏈狀、支鏈狀或環狀的亞烷基、碳數6～20的亞芳基。