[發明專利]改進的太陽能電池表面制絨方法無效
| 申請號: | 201110440636.4 | 申請日: | 2011-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN102569059A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 嚴錦春;錢騰達 | 申請(專利權)人: | 嘉興優太太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/306 | 分類號: | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司: | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人: | 郭國中 |
| 地址: | 314050 浙江省嘉興市南湖區*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 改進 太陽能電池 表面 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池制備方法,具體地,涉及改進的太陽能電池表面制絨方法。
背景技術
太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源,也是清潔能源,不產生任何的環境污染。在太陽能的有效利用當中,大陽能光電利用是近些年來發展最快,最具活力的研究領域,是其中最受矚目的項目之一。為此,人們研制和開發了太陽能電池。制作太陽能電池主要是以半導體材料為基礎,其工作原理是利用光電材料吸收光能后發生光電于轉換反應。不同的制備方法對作為太陽能電池主要部件的硅片的質量影響很大,現有技術中硅片的轉換效率有待改進。
發明內容
針對現有技術中的缺陷,本發明的目的是提供一種改進的太陽能電池表面制絨方法。
根據本發明的一個方面,提供一種改進的太陽能電池表面制絨方法,包括如下步驟:
步驟A:測定單晶硅片表面損傷層的厚度;
步驟B:根據單晶硅片表面損傷層的厚度確定反應時間;
步驟C:控制反應溫度在90攝氏度,使用次氯酸鈉腐蝕溶劑去除單晶硅片表面的損傷層,反應時間為所述步驟B中確定的反應時間;
步驟D:用去離子水噴洗單晶硅片表面;
步驟E:使用干燥的氮氣吹干單晶硅片;
步驟F:使用次氯酸鈉和醇類的混合液作為制絨液,將單晶硅片放置入制絨液中制絨,控制反應溫度在84攝氏度;
步驟G:使用干燥的氮氣吹干單晶硅片。
優選地,在所述步驟E中,氮氣的溫度為80攝氏度。可以提高金字塔絨面的覆蓋率。
優選地,在所述步驟F中,反應時間為12分鐘。當所述步驟E中氮氣的溫度為80攝氏度時,所述步驟F的反應時間不必采用現有技術中常規認為需要30分鐘的反應時間。
本發明通過使用次氯酸鈉配置制絨液,使得硅片的轉換率得以提高,并且制絨所產生的反應產物對環境沒有污染,進一步地,硅片在制絨后不再需要使用酸液清洗,簡化了生產流程。
具體實施方式
根據本發明提供的改進的太陽能電池表面制絨方法,包括步驟:步驟A:測定單晶硅片表面損傷層的厚度;步驟B:根據單晶硅片表面損傷層的厚度確定反應時間;步驟C:控制反應溫度在90攝氏度,使用次氯酸鈉腐蝕溶劑去除單晶硅片表面的損傷層,反應時間為所述步驟B中確定的反應時間;步驟D:用去離子水噴洗單晶硅片表面;步驟E:使用干燥的氮氣吹干單晶硅片;步驟F:使用次氯酸鈉和醇類的混合液作為制絨液,將單晶硅片放置入制絨液中制絨,控制反應溫度在84攝氏度;步驟G:使用干燥的氮氣吹干單晶硅片。
優選地,在所述步驟E中,氮氣的溫度為80攝氏度。可以提高金字塔絨面的覆蓋率。優選地,在所述步驟F中,反應時間為12分鐘。當所述步驟E中氮氣的溫度為80攝氏度時,所述步驟F的反應時間不必采用現有技術中常規認為需要30分鐘的反應時間。
以上對本發明的具體實施例進行了描述。需要理解的是,本發明并不局限于上述特定實施方式,本領域技術人員可以在權利要求的范圍內做出各種變形或修改,這并不影響本發明的實質內容。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





