[發明專利]改進的太陽能電池表面制絨方法無效
| 申請號： | 201110440636.4 | 申請日： | 2011-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN102569059A | 公開（公告）日： | 2012-07-11 |
| 發明（設計）人： | 嚴錦春;錢騰達 | 申請（專利權）人： | 嘉興優太太陽能有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/306 | 分類號： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭國中 |
| 地址： | 314050 浙江省嘉興市南湖區*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改進 太陽能電池 表面 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種改進的太陽能電池表面制絨方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟A：測定單晶硅片表面損傷層的厚度；
步驟B：根據單晶硅片表面損傷層的厚度確定反應時間；
步驟C：控制反應溫度在90攝氏度，使用次氯酸鈉腐蝕溶劑去除單晶硅片表面的損傷層，反應時間為所述步驟B中確定的反應時間；
步驟D：用去離子水噴洗單晶硅片表面；
步驟E：使用干燥的氮氣吹干單晶硅片；
步驟F：使用次氯酸鈉和醇類的混合液作為制絨液，將單晶硅片放置入制絨液中制絨，控制反應溫度在84攝氏度；
步驟G：使用干燥的氮氣吹干單晶硅片。
2.根據權利要求1所述的改進的太陽能電池表面制絨方法，其特征在于，在所述步驟E中，氮氣的溫度為80攝氏度。
3.根據權利要求2所述的改進的太陽能電池表面制絨方法，其特征在于，在所述步驟F中，反應時間為12分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
