[發明專利]外延型快速恢復二極管及其制備方法無效
| 申請號： | 201110440632.6 | 申請日： | 2011-12-26 |
| 公開（公告）號： | CN103178120A | 公開（公告）日： | 2013-06-26 |
| 發明（設計）人： | 賀東曉;吳迪;王曉寶;周錦源 | 申請（專利權）人： | 江蘇宏微科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 213022 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外延 快速 恢復 二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種外延型快速恢復二極管，包括分別用于形成PN結的陰極區和陽極區的N型半導體摻雜層和P型半導體摻雜層，其特征在于，所述P型半導體摻雜層中從PN結的界面處向所述陽極區表面依次鄰接地設置第一P型半導體區域、第二P型半導體區域以及第三P型半導體區域；
其中，所述第一P型半導體區域的摻雜濃度低于所述第二P型半導體區域的摻雜濃度，所述第二P型半導體區域的摻雜濃度低于所述第三P型半導體區域的摻雜濃度。
2.?如權利要求1所述的外延型快速恢復二極管，其特征在于，所述第一P型半導體區域的厚度范圍為3-6微米。
3.?如權利要求1或2所述的外延型快速恢復二極管，其特征在于，所述第二P型半導體區域的厚度范圍為2-5微米。
4.?如權利要求1或2或3所述的外延型快速恢復二極管，其特征在于，所述第三P型半導體區域的厚度范圍為0.1微米至0.5微米。
5.?如權利要求1所述的外延型快速恢復二極管，其特征在于，所述第一P型半導體區域的P型摻雜濃度范圍為1×1013/cm3至1×1015/cm3。
6.?如權利要求1或5所述的外延型快速恢復二極管，其特征在于，所述第二P型半導體區域的P型摻雜濃度范圍為1×1016/cm3至15×1018/cm3。
7.?如權利要求1或5或6所述的外延型快速恢復二極管，其特征在于，所述第三P型半導體區域的P型摻雜濃度范圍為1×1019/cm3至5×1021/cm3。
8.?一種用于制備如權利要求1所述的外延型快速恢復二極管的方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供用于形成N型半導體摻雜層的N型襯底區域和N型襯底區域上外延生長的N型外延區域；以及
在所述N型襯底區域上構圖進行三次摻雜以形成P型半導體摻雜層的第一P型半導體區域、第二P型半導體區域和第三P型半導體區域。
9.?如權利要求8所示的方法，其特征在于，在所述三次摻雜過程中，第一次摻雜為P型摻雜以相應地形成第一P型半導體區域，第二次摻雜為在所述第一次摻雜的基礎上繼續進行P型摻雜以相應地形成第二P型半導體區域，第三次摻雜為在所述第二次摻雜的基礎上繼續進行P型摻雜以相應地形成第三P型半導體區域。
10.?如權利要求9所示的方法，其特征在于，在所述第二次摻雜和第三次摻雜的過程中分別同步地構圖形成環繞所述P型半導體摻雜層的場環的第四P型半導體區域和第五P型半導體區域。
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