[發明專利]反轉疊層有機發光二極管有效
| 申請號: | 201110440229.3 | 申請日: | 2011-12-26 |
| 公開(公告)號: | CN102522508A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 秦大山 | 申請(專利權)人: | 河北工業大學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;C09K11/06 |
| 代理公司: | 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙) 12210 | 代理人: | 胡安朋 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反轉 有機 發光二極管 | ||
1.反轉疊層有機發光二極管,其特征在于:是一種采用由雙p型摻雜層和雙n型摻雜層組成的連接層結構的反轉疊層有機發光二極管,由襯底上的一層陰極、一層沉積在陰極上的有機n型摻雜電子傳輸層Ⅰ、一層沉積在有機n型摻雜電子傳輸層Ⅰ上的有機n型摻雜電子注入層Ⅰ、一層沉積在有機n型摻雜電子注入層Ⅰ上的有機發光層Ⅰ、一層沉積在有機發光層Ⅰ上的有機空穴過渡層Ⅰ、一層沉積在有機空穴過渡層Ⅰ上的有機p型摻雜空穴注入層Ⅰ、一層沉積在有機p型摻雜空穴注入層Ⅰ上的有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅰ、一層沉積在有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅰ上的有機n型摻雜電子傳輸層Ⅱ、一層沉積在有機n型摻雜電子傳輸層Ⅱ上的有機n型摻雜電子注入層Ⅱ、一層沉積在有機n型摻雜電子注入層Ⅱ上的有機發光層Ⅱ、一層沉積在有機發光層Ⅱ上的有機空穴過渡層Ⅱ、一層沉積在有機空穴過渡層Ⅱ上的有機p型摻雜空穴注入層Ⅱ、一層沉積在有機p型摻雜空穴注入層Ⅱ上的有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅱ和一層沉積在有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅱ上的陽極組成;其中,所述陰極是厚度為100?nm的氧化銦錫導電薄膜或20?nm厚的貴金屬薄膜;所述沉積在陰極上的有機n型摻雜電子傳輸層Ⅰ的材料是在萘四甲酸二酐中摻雜派洛寧B,其質量配比為萘四甲酸二酐∶派洛寧B=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機n型摻雜電子傳輸層Ⅰ上的有機電子注入層Ⅰ的材料是在4,7二苯基-1,10-菲啰啉中摻雜碳酸銣,其質量配比為4,7二苯基-1,10-菲啰啉∶碳酸銣=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機n型摻雜電子注入層Ⅰ上的有機發光層Ⅰ的材料是三(8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ);所述沉積在有機發光層Ⅰ上的有機空穴過渡層Ⅰ的材料是9,9'-?(1,3-苯基)二-9H-咔唑;所述沉積在有機空穴過渡層Ⅰ上的有機p型摻雜空穴注入層Ⅰ的材料是在4,4'-二(9-咔唑)聯苯中摻雜三氧化錸,其質量配比為4,4'-二(9-咔唑)聯苯∶三氧化錸=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機p型摻雜空穴注入層Ⅰ上的有機p型空穴傳輸層Ⅰ的材料是在4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺中摻雜三氧化錸,其質量配比為4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化錸=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅰ上的有機n型摻雜電子傳輸層Ⅱ的材料是在萘四甲酸二酐中摻雜派洛寧B,其質量配比為萘四甲酸二酐∶派洛寧B=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機n型摻雜電子傳輸層Ⅱ上的有機n型摻雜電子注入層Ⅱ的材料是在4,7二苯基-1,10-菲啰啉中摻雜碳酸銣,其質量配比為4,7二苯基-1,10-菲啰啉∶碳酸銣=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機n型摻雜電子注入層Ⅱ上的有機發光層的材料是三(8-羥基喹啉)鋁(Ⅲ);所述沉積在有機發光層Ⅱ上的有機空穴過渡層Ⅱ的材料是9,9'-?(1,3-苯基)二-9H-咔唑;所述沉積在有機空穴過渡層Ⅱ上的有機p型摻雜空穴注入層Ⅱ的材料是在4,4'-二(9-咔唑)聯苯中摻雜三氧化錸,其質量配比為4,4'-二(9-咔唑)聯苯∶三氧化錸=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機p型摻雜空穴注入層Ⅱ上的有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅱ的材料是在4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺中摻雜三氧化錸,其質量配比為4,4',4'-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺∶三氧化錸=1∶0.01~0.5;所述沉積在有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅱ上的陽極為銀。
2.權利要求1所述反轉疊層有機發光二極管,其特征在于:所述陰極貴金屬薄膜是金薄膜或銀薄膜。
3.權利要求1所述反轉疊層有機發光二極管,其特征在于:所述陰極氧化銦錫導電薄膜的面電阻小于10歐姆/每4×4?cm2方塊。
4.權利要求1所述反轉疊層有機發光二極管,其特征在于:所述有機n型摻雜電子傳輸層Ⅰ的厚度為5~1000nm,有機n型摻雜電子注入層Ⅰ的厚度為1~10nm,有機發光層Ⅰ的厚度為40~60nm,有機空穴過渡層Ⅰ的厚度為40~60nm,有機p型摻雜空穴注入層Ⅰ的厚度為1~10nm,有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅰ的厚度為1~10nm,有機n型摻雜電子傳輸層Ⅱ的厚度為1~10nm,有機n型摻雜電子注入層Ⅱ的厚度為1~10nm,有機發光層Ⅱ的厚度為40~60nm,有機空穴過渡層Ⅱ的厚度為40~60nm,有機p型摻雜空穴注入層Ⅱ的厚度為1~10nm,有機p型摻雜空穴傳輸層Ⅱ的厚度為5~1000nm,陽極的厚度100nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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