[發(fā)明專利]電感及形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110436853.6
• 申請(qǐng)日: 2011-12-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102522388A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林益梅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64;H01L21/02
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電感，包括：襯底，其特征在于，還包括：位于所述襯底表面的低K層間介質(zhì)層，位于所述低K層間介質(zhì)層上的電感線圈，位于所述電感線圈表面的保護(hù)層。

2.如權(quán)利要求1所述的電感，其特征在于，所述低K層間介質(zhì)層為多層堆疊結(jié)構(gòu)，所述多層堆疊結(jié)構(gòu)中至少一層的材料為氟硅玻璃、無(wú)定形碳、多孔介質(zhì)材料其中一種。

3.如權(quán)利要求1所述的電感，其特征在于，所述低K層間介質(zhì)層包括位于襯底表面的富硅氧化物層，位于所述富硅氧化物層表面的氟硅玻璃層，位于所述氟硅玻璃層表面的氧化硅層。

4.如權(quán)利要求3所述的電感，其特征在于，所述富硅氧化物層的厚度范圍為所述氟硅玻璃層的厚度范圍為所述氧化硅層的厚度范圍為

5.如權(quán)利要求3所述的電感，其特征在于，還包括，位于所述氧化硅層內(nèi)的金屬互連層，位于所述金屬互連層表面的導(dǎo)電插塞，所述導(dǎo)電插塞與電感線圈的兩端電學(xué)連接，利用所述金屬互連層和導(dǎo)電插塞將電感線圈與外電路電學(xué)連接。

6.如權(quán)利要求1所述的電感，其特征在于，所述電感線圈為平面螺旋線圈。

7.如權(quán)利要求1所述的電感，其特征在于，所述電感線圈為單層的電感線圈或多層堆疊線圈。

8.一種電感的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在所述襯底表面形成低K層間介質(zhì)層；

在所述低K層間介質(zhì)層上形成電感線圈；

在所述電感線圈表面形成保護(hù)層。

9.如權(quán)利要求8所述的電感的形成方法，其特征在于，所述低K層間介質(zhì)層為多層堆疊結(jié)構(gòu)，所述多層堆疊結(jié)構(gòu)中至少一層的材料為氟硅玻璃、無(wú)定形碳、多孔介質(zhì)材料其中一種。

10.如權(quán)利要求8所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述低K層間介質(zhì)層的具體工藝包括：在所述襯底表面形成富硅氧化物層，在所述富硅氧化物層表面形成氟硅玻璃層，在所述氟硅玻璃層表面形成氧化硅層。

11.如權(quán)利要求10所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述富硅氧化物層的工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。

12.如權(quán)利要求11所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述富硅氧化物層的工藝參數(shù)包括：反應(yīng)氣體包括SiH₄和N₂O，所述SiH₄的氣流量范圍為100sccm～150sccm，所述N₂O的氣流量范圍為700sccm～800sccm，反應(yīng)溫度的范圍為380℃～420℃，反應(yīng)氣壓的范圍為2.0Torr～2.4Torr。

13.如權(quán)利要求10所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述氟硅玻璃層的工藝為高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積。

14.如權(quán)利要求13所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述富硅氧化物層的工藝參數(shù)包括：反應(yīng)氣體包括Ar、O₂、SiH₄、SiF₄，所述Ar的氣流量范圍為60sccm～70sccm，所述O₂的氣流量范圍為100sccm～130sccm，所述SiH₄的氣流量范圍為35sccm～50sccm，所述SiF₄的氣流量范圍為35sccm～50sccm，反應(yīng)溫度的范圍為420℃～460℃，反應(yīng)氣壓的范圍為4mTorr～6mTorr。

15.如權(quán)利要求10所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述氧化硅層的工藝步驟包括：在所述氟硅玻璃層表面形成第一氧化硅層，在所述第一氧化硅層表面形成金屬互連層，在所述金屬互連層和第一氧化硅層表面形成第二氧化硅層，在所述第二氧化硅層內(nèi)形成導(dǎo)電插塞，使得位于所述氧化硅層上的電感線圈通過(guò)所述導(dǎo)電插塞與金屬互連層電學(xué)連接。

16.如權(quán)利要求15所述的電感的形成方法，其特征在于，形成所述第一氧化硅層和第二氧化硅層的工藝為化學(xué)氣相沉積工藝。