[發明專利]植球設備和利用該植球設備的植球方法有效
| 申請號: | 201110434811.9 | 申請日: | 2011-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN102522345A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 謝曉強 | 申請(專利權)人: | 三星半導體(中國)研究開發有限公司;三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H05K3/34;B23K3/08 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 薛義丹 |
| 地址: | 215021 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 設備 利用 方法 | ||
1.一種植球設備,所述植球設備包括用于拾取焊球的拾取工具和用于容納焊球的容器,其特征在于所述拾取工具包括:
第一真空室和第二真空室,第一真空室和第二真空室相互獨立;
第一真空開關和第二真空開關,分別設置在第一真空室的一端和第二真空室的一端,第一真空開關和第二真空開關被獨立地操作,以獨立地控制第一真空室和第二真空室的真空度;
第一噴嘴,設置在第一真空室的另一端并與第一真空室連通;
第二噴嘴,設置在第二真空室的另一端并與第二真空室連通。
2.根據權利要求1所述的植球裝置,其特征在于第一噴嘴與第二噴嘴尺寸不同,以拾取不同尺寸的焊球。
3.根據權利要求1所述的植球裝置,其特征在于所述拾取工具還包括另一第二噴嘴。
4.根據權利要求1所述的植球裝置,其特征在于所述拾取工具包括多個所述第一噴嘴和多個所述第二噴嘴。
5.根據權利要求1所述的植球裝置,其特征在于所述植球設備的容器包括第一容器和第二容器,第一容器和第二容器分別用于容納不同尺寸或種類的焊球。
6.根據權利要求1所述的植球裝置,其特征在于將第一噴嘴和第二噴嘴安裝成使拾取的不同尺寸的焊球的底表面在將焊球安裝在基板上時位于與基板平行的同一平面內。
7.根據權利要求4所述的植球裝置,其特征在于將所述多個第一噴嘴和所述多個第二噴嘴安裝成使拾取的不同尺寸的焊球的底表面在將焊球安裝在基板上時位于與基板平行的同一平面內。
8.一種植球設備,所述植球設備包括用于拾取焊球的拾取工具和用于容納焊球的容器,其特征在于所述拾取工具包括:
至少兩個真空室,所述至少兩個真空室相互獨立;
至少兩個真空開關,分別設置在所述至少兩個真空室中的每個真空室的一端,所述至少兩個真空開關被獨立操作以獨立地控制所述至少兩個真空室的真空度;
至少兩個噴嘴,設置在所述至少兩個真空室中的對應真空室的另一端并且所述至少兩個真空室中的每個真空室設置有至少一個噴嘴,與所述至少兩個真空室中的每個真空室對應的所述至少一個噴嘴與對應的真空室連通。
9.根據權利要求8所述的植球裝置,其特征在于所述至少兩個噴嘴為尺寸不同的噴嘴,以拾取不同尺寸的焊球。
10.根據權利要求8所述的植球裝置,其特征在于所述至少兩個真空室的數量與所述至少兩個噴嘴的種類的量相同。
11.根據權利要求8所述的植球裝置,其特征在于所述至少兩個真空室的數量與所述至少兩個噴嘴的數量相同或不同。
12.根據權利要求8所述的植球裝置,其特征在于所述植球設備包括至少兩個所述容器,至少兩個所述容器分別用于容納不同尺寸或種類的焊球。
13.根據權利要求8所述的植球裝置,其特征在于將所述至少兩個噴嘴安裝成使拾取的不同尺寸的焊球的底表面在將焊球安裝在基板上時位于與基板平行的同一平面內。
14.一種利用如權利要求1所述的植球設備的植球方法,所述方法包括的步驟有:
打開第一真空開關并關閉第二真空開關;
利用第一噴嘴拾取第一焊球;
關閉第一真空開關并打開第二真空開關;
利用第二噴嘴拾取第二焊球;
將拾取的第一焊球和第二焊球一次性貼附到基板上的對應的焊盤上。
15.根據權利要求14的植球方法,其特征在于,植球設備包括多個第一真空開關和多個第二真空開關,多個第一真空開關同時打開或關閉,多個第二真空開關同時打開或關閉。
16.根據權利要求14的植球方法,其特征在于,植球設備包括多個第一真空開關和多個第二真空開關,多個第一真空開關分別打開或關閉,多個第二真空開關分別打開或關閉。
17.根據權利要求14的植球方法,其特征在于,使基板上的對應的焊盤具有相同高度。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





