[發(fā)明專利]基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路及實現(xiàn)方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110434367.0 | 申請日： | 2011-12-22 |
| 公開（公告）號： | CN102436848A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 亢勇;陳邦明 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新儲集成電路有限公司 |
| 主分類號： | G11C14/00 | 分類號： | G11C14/00;H03K3/353 |
| 代理公司： | 上海麥其知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31257 | 代理人： | 董紅曼 |
| 地址： | 201506 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 相變 存儲 單元 非易失性 觸發(fā)器 電路 實現(xiàn) 方法 | ||
1.一種基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路，其特征在于，包括T觸發(fā)器單元（1）和相變存儲單元（2）；所述T觸發(fā)器與所述相變存儲單元串聯(lián)連接。
2.如權(quán)利要求1所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路，其特征在于，所述T觸發(fā)器單元（1）包括第一三輸入與非門（12）的輸出端（3）、第二三輸入與非門（13）的輸出端（4）、T觸發(fā)器的輸出端（5）、T觸發(fā)器的反相輸出端（6）、二輸入與非門（14、15）、T觸發(fā)器輸入端、時鐘信號輸入端；
所述T觸發(fā)器輸入端與所述第一三輸入與非門（12）、第二三輸入與非門（13）的輸入端連接，時鐘信號輸入端分別于所述第一三輸入與非門（12）的輸入端、第二三輸入與非門（13）的?輸入端連接，所述第一三輸入與非門（12）的輸出端（3）與第一二輸入與非門（14）的輸入端連接，所述第二三輸入與非門（13）的輸出端（4）與第二二輸入與非門（15）的輸入端連接，所述第一二輸入與非門（14）的輸出端與所述第二三輸入與非門（13）的輸入端、第二二輸入與非門（15）的輸入端、T觸發(fā)器的輸出端（5）連接，所述第二二輸入與非門（15）的輸出端與所述第一三輸入與非門（12）的輸入端、第一二輸入與非門（14）的輸入端、T觸發(fā)器的反相輸出端（6）連接。
3.如權(quán)利要求2所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路，其特征在于，所述相變存儲單元（2）包括相變電阻（7、8）和控制晶體管（9、10）；
所述第一相變電阻（7）的正極與所述T觸發(fā)器的輸出端（5）連接，負極與所述第一控制晶體管（9）的漏極；所述第一控制晶體管（9）的源極與位線連接，柵極與所述存儲和恢復(fù)控制信號端連接；
所述第二相變電阻（8）的正極與所述T觸發(fā)器的反相輸出端（6）連接，負極與所述第二控制晶體管（10）的漏極連接；所述第二控制晶體管（10）的源極與所述反位線連接，柵極與所述存儲和恢復(fù)控制信號端連接。
4.如權(quán)利要求1所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路，其特征在于，通過編程電流對所述控制晶體管（9、10）的柵極的控制來實現(xiàn)對于所述相變存儲單元電阻值的編程。
5.如權(quán)利要求1所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路，其特征在于，所述T觸發(fā)器可以是JK觸發(fā)器，D觸發(fā)器或RS觸發(fā)器。
6.如權(quán)利要求1所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路，其特征在于，所述相變存儲單元的相變材料可以是鍺銻碲，硅銻碲或鋁銻碲。
7.如權(quán)利要求1所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路的實現(xiàn)方法，其特征在于，包括：步驟A：存儲數(shù)據(jù)和/或步驟B：恢復(fù)數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求6所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路的實現(xiàn)方法，其特征在于，當(dāng)存儲數(shù)據(jù)時：
步驟A1：將所述位線與反位線接地，時鐘信號輸入端保持低電平狀態(tài)；
步驟A2：對所述存儲和恢復(fù)控制信號端進行控制，對所述第一相變電阻（7）和第二相變電阻（8）進行編程，當(dāng)所述T觸發(fā)器輸出端（5）或T觸發(fā)器反相輸出端（6）的狀態(tài)為高電平時，與其相連的相變電阻會被編程，另外一個保持不變；
步驟A3：將所述位線與反位線同時接高電平并控制所述存儲和恢復(fù)控制信號端，當(dāng)所述T觸發(fā)器輸出端（5）或T觸發(fā)器反相輸出端（6）的狀態(tài)為低電平時，與其相連的相變電阻會被編程，另外一個保持不變；
步驟A4：將所述存儲與恢復(fù)控制信號端設(shè)為低電平完成存儲過程。
9.如權(quán)利要求6所述基于相變存儲單元的非易失性T觸發(fā)器電路的實現(xiàn)方法，其特征在于，當(dāng)恢復(fù)數(shù)據(jù)時：
步驟B1：時鐘信號輸入端保持低電平狀態(tài)；
步驟B2：對所述位線與反位線進行預(yù)充電，將所述存儲和恢復(fù)控制信號端設(shè)為高電平；
步驟B3：所述第一相變電阻（7）和第二相變電阻（8）的電阻狀態(tài)對所述T觸發(fā)器的輸出端（5）和T觸發(fā)器反相輸出端（6）進行初始化，恢復(fù)掉電前的狀態(tài)；
步驟B4：將所述存儲與恢復(fù)控制信號端設(shè)為低電平完成恢復(fù)過程。
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