[發(fā)明專利]導(dǎo)電性粘接帶無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110432158.2 | 申請日： | 2011-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN102585719A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 野中崇弘;大學(xué)紀(jì)二;村上亞衣;中尾航大;山崎博司 | 申請（專利權(quán)）人： | 日東電工株式會社 |
| 主分類號： | C09J7/02 | 分類號： | C09J7/02 |
| 代理公司： | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人： | 謝麗娜;關(guān)兆輝 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 導(dǎo)電性 粘接帶 | ||
1.一種導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，
包括導(dǎo)體層以及在上述導(dǎo)體層的表面形成的粘接層，
在上述粘接層形成在厚度方向貫通的粘接層貫通孔，
上述導(dǎo)體層包括形成于上述粘接層貫通孔的導(dǎo)體層插通部，
在上述導(dǎo)體層插通部中至上述粘接層的表面的端面，設(shè)置有低熔點金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，上述導(dǎo)體層插通部以不封閉上述粘接層貫通孔的方式沿著上述粘接層貫通孔的內(nèi)周面形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，在上述導(dǎo)體層插通部中至上述粘接層的表面的端部，設(shè)置有沿著上述粘接層的表面折返的導(dǎo)體層折返部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，上述低熔點金屬層設(shè)置在從上述粘接層露出的上述導(dǎo)體層折返部的外面。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，上述低熔點金屬層設(shè)置在包括與上述粘接層密接的導(dǎo)體層插通部和上述導(dǎo)體層折返部的上述導(dǎo)體層的內(nèi)面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，形成上述低熔點金屬層的低熔點金屬的熔點為180℃以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，形成上述低熔點金屬層的低熔點金屬含有30～80質(zhì)量％的鉍。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，上述低熔點金屬層設(shè)置在包括與上述粘接層密接的導(dǎo)體層插通部和上述導(dǎo)體層折返部的上述導(dǎo)體層的內(nèi)面。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，形成上述低熔點金屬層的低熔點金屬的熔點為180℃以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的導(dǎo)電性粘接帶，其特征在于，形成上述低熔點金屬層的低熔點金屬的熔點為180℃以下。
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