[發(fā)明專利]一種焊料凸點(diǎn)的形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110428421.0 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102496580A | 公開(公告)日: | 2012-06-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁萬春 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京市惠誠(chéng)律師事務(wù)所 11353 | 代理人: | 雷志剛;潘士霖 |
| 地址: | 226006 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 焊料 形成 方法 | ||
1.一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,包括:
在芯片的焊盤和鈍化層上依次形成耐熱金屬層和金屬浸潤(rùn)層;
在金屬浸潤(rùn)層上形成光刻膠,所述光刻膠設(shè)有開口曝露出芯片焊盤上方的金屬浸潤(rùn)層;
在上述開口中的金屬浸潤(rùn)層上依次形成附著層和阻擋層;
在阻擋層上形成焊料膏;
去除光刻膠;
蝕刻鈍化層上的耐熱金屬層和金屬浸潤(rùn)層至鈍化層裸露;
回流焊料膏,形成柱狀凸點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述耐熱金屬層的材料是鈦、鉻、鉭或它們的組合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述金屬浸潤(rùn)層的材料是銅、鋁、鎳或它們的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述附著層的材料是銅。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述銅附著層的厚度是5~60μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述阻擋層的材料是鎳。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述鎳阻擋層的厚度是1.5~3μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述焊料膏的材質(zhì)是純錫或錫合金。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種焊料凸點(diǎn)的形成方法,其特征在于,所述焊料膏的厚度是5~70μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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