[發(fā)明專利]用于投影顯示的反射式硅基鐵電液晶芯片及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110428397.0
• 申請(qǐng)日: 2011-12-20
• 公開（公告）號(hào): CN102436108A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林斌;郝麗芳;能芬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué)
• 主分類號(hào): G02F1/141
• 分類號(hào): G02F1/141
• 代理公司: 杭州中成專利事務(wù)所有限公司 33212
• 代理人: 金祺

1.一種用于投影顯示的反射式硅基鐵電液晶芯片，包括：相互間隔且平行的玻璃基板和硅基板；在各自相對(duì)的側(cè)面上，在玻璃基板設(shè)置導(dǎo)電電極ITO層，在硅基板設(shè)置導(dǎo)電電極Al層；以環(huán)氧樹脂密封連接玻璃基板和硅基板形成液晶盒，其內(nèi)部注滿鐵電液晶；其特征在于，在所述導(dǎo)電電極ITO層和導(dǎo)電電極Al層上分別設(shè)置取向?qū)?，玻璃基板和硅基板之間由固定于兩個(gè)取向?qū)由系拈g隔子實(shí)現(xiàn)定位。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式硅基鐵電液晶芯片，其特征在于，所述間隔子是無機(jī)絕緣薄層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射式硅基鐵電液晶芯片，其特征在于，所述取向?qū)邮蔷埘啺穼?、聚乙烯醇層、尼龍層或聚乙烯醇層其中的任意一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項(xiàng)中所述的反射式硅基鐵電液晶芯片，其特征在于，所述鐵電液晶具有準(zhǔn)書架式層結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反射式硅基鐵電液晶芯片，其特征在于，所述鐵電液晶的準(zhǔn)書架式層結(jié)構(gòu)不是完全垂直于玻璃基板和硅基板的表面，而是呈一定的角度，該角度在15°以內(nèi)。

6.一種制作用于投影顯示的反射式硅基鐵電液晶芯片的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在玻璃基板上涂覆導(dǎo)電電極ITO層，在硅基板上涂覆導(dǎo)電電極Al層；

(2)在導(dǎo)電電極ITO層和導(dǎo)電電極Al層上分別涂覆一層取向?qū)?；然后，沿第一摩擦方向?qū)ΣＡЩ宓娜∠驅(qū)舆M(jìn)行摩擦處理，沿第二摩擦方向?qū)杌宓娜∠驅(qū)舆M(jìn)行摩擦處理，第一摩擦方向和第二摩擦方向按設(shè)定的角度相交；

(3)以環(huán)氧樹脂密封膠連接玻璃基板和硅基板組成液晶盒，兩者之間的距離由沉積于任一取向?qū)由系臒o機(jī)絕緣薄層確定；

(4)向液晶盒內(nèi)注入鐵電液晶，封口后進(jìn)行降溫處理，同時(shí)在液晶盒上加載交流信號(hào)以控制鐵電液晶層排布，得到具有準(zhǔn)書架式層結(jié)構(gòu)的反射式硅基鐵電液晶芯片。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中的取向?qū)拥牟馁|(zhì)是聚酰亞胺、聚乙烯醇、尼龍或聚乙烯醇其中的任意一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中的摩擦處理是指：使用絲綢的滾子摩擦取向?qū)樱Σ劣昧Υ笮?0～50N，摩擦次數(shù)為20～50次，所述第一摩擦方向和第二摩擦方向是反向平行的。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中的降溫處理是，以3℃/min的速度降溫至25℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)中加載交流信號(hào)時(shí)，控制交變電場(chǎng)為3V/um。