[發明專利]半導體發光裝置有效
| 申請號: | 201110427212.4 | 申請日: | 2009-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN102522485A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發明(設計)人: | 幡俊雄;筱原久幸 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/54 | 分類號: | H01L33/54;H01L25/075 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本國大阪府大阪市阿倍野*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 發光 裝置 | ||
本申請是2009年2月5日遞交的申請號為“200910130741.0”、發明名稱為“半導體發光裝置”的分案申請。
技術領域
本發明涉及使用了發光二極管等的半導體發光裝置。
背景技術
如圖6所示,現有的表面安裝型發光二極管在封裝體100的凹部101的內部設置發光元件102,放置發光元件102的引線(lead)電極103并排設置在封裝體100的長邊方向上。引線接合法(wire?bonding)用引線電極104設置在引線電極103外側的封裝體100長邊方向的端部上。并且,各個發光元件102被放置在不同的引線電極103a、103b、103c上,在各個發光元件102和各個引線電極104之間露出由樹脂構成的封裝體100的凹部101的底面。露出的凹部101的底面與填充到凹部101內的模具(mold)部件(未圖示)粘合。此外,發光元件102分別獨立與外部電連接(例如參照特開2004-71675號公報)。
在如特開2004-71675號公報所示的發光二極管的結構中,為了改善散熱性而增大引線電極103的面積時,存在會產生發光元件102的光軸錯位或引起脫落的問題。其原因如下。設置在引線電極103上的發光元件102還與為了密封而設置的密封部件連接。該密封部件與由金屬材料構成的引線電極103有不同的熱膨脹系數。因此,對于密封部件和引線電極103來說,加熱引起的膨脹以及冷卻引起的收縮的比例都差別很大。其結果是發光元件102與引線電極103錯位,會產生光軸錯位或引起脫落。
此外,通常對引線電極103和引線電極104實施鍍銀,由于該電極之間的電位差以及從周圍空氣中吸附到表面上的水分的存在,所以會發生鍍了銀的各個引線電極的鍍銀的遷移(migration)。因此,引線電極引起電短路,還會發生引起發光元件不點亮這樣的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種可靠性十分高的半導體發光裝置,通過進一步減小用于密封的密封樹脂和放置發光元件的金屬部件區域的接觸面積,防止由于密封樹脂和金屬部件區域的熱膨脹系數不同所引起的從金屬部件區域的發光元件的脫落和錯位。
為了解決所述問題,本發明的半導體發光裝置包括:多個金屬板,設置在具有凹部的封裝體的凹部中;多個發光元件,分別被放置在所述多個金屬板之中的幾個金屬板的上表面上,且被配置成一列;第1凸狀樹脂部,位于搭載了發光元件的相鄰的金屬板之間,且比金屬板的上表面更突出;第1遮蓋樹脂部,覆蓋所述多個金屬板中的至少一個金屬板的一部分;密封樹脂,設置在所述凹部中,且與所述第1凸狀樹脂部和所述第1遮蓋樹脂部接觸。
本發明的另一個實施方式的半導體發光裝置包括:多個金屬板,設置在具有凹部的封裝體的凹部中;多個發光元件,分別被放置在所述多個金屬板之中的幾個金屬板的上表面上;第1凸狀樹脂部,位于搭載了發光元件的金屬板以外的、通過導線被連接到對應的發光元件的相鄰的金屬板之間,且比金屬板的上表面更突出;第1遮蓋樹脂部,覆蓋所述多個金屬板中的至少一個金屬板的一部分;密封樹脂,設置在所述凹部中,且與所述第1凸狀樹脂部和所述第1遮蓋樹脂部接觸。
根據本發明,由于包括設置在封裝體的規定面上的將金屬部件區域分割為多個的凸形樹脂部,所以在不同的金屬部件區域上分別放置各個發光元件,從而能夠使發光元件發光時產生的熱通過獨立的路徑向外擴散。因此,即使在接通大電流時也能維持良好的散熱性,其結果,能夠保持發光元件的特性,抑制密封樹脂的老化。此外,由于能夠減小引出電極與密封電極的接觸面積,所以能夠防止從引出電極的發光元件的脫落和錯位,能夠提供可靠性十分高的發光二極管。而且,由于凸形的樹脂部成為銀遷移的障礙,所以能防止電短路。
通過以下結合附圖對本發明所作的詳細說明,將明了本發明的所述及其它目的、特征、情形和優點。
附圖說明
圖1A是表示本發明實施方式1的半導體發光裝置的一個側面即發光面的圖,圖1B是表示圖1A的IB-IB線剖面的圖。
圖2A是表示本發明實施方式2的半導體發光裝置的發光面的平面圖,圖2B是圖2A的IIB-IIB線剖面圖。
圖3是表示本發明實施方式3的半導體發光裝置的發光面的平面圖。
圖4是表示本發明實施方式4的半導體發光裝置的發光面的平面圖。
圖5A是表示本發明實施方式5的半導體發光裝置的發光面的平面圖,圖5B是該實施方式中的半導體發光裝置的剖面圖。
圖6是現有的半導體發光裝置的立體圖。
具體實施方式
(實施方式1)
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