[發明專利]制作半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201110425827.3
• 申請日: 2011-12-19
• 公開（公告）號: CN103165461A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 韓秋華
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 董巍;顧珊

1.一種制作半導體器件的方法，包括：

a)提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有掩膜層和具有圖案的光刻膠層；

b)對所述半導體襯底進行刻蝕，以形成具有第一寬度和第一高度的第一鰭，并去除所述掩膜層和所述光刻膠層；

c)在所述半導體襯底上所述第一鰭的兩側形成種子層；

d)去除所述第一鰭的至少一部分，以形成填充開口，其中所述第一鰭的被去除部分具有第二高度；

e)選擇性地僅在所述種子層的表面形成氧化物層，以縮小所述填充開口的尺寸；以及

f)在被縮小的填充開口內形成具有第二寬度的第二鰭，所述第二寬度小于所述第一寬度。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述b)步驟包括：

以所述光刻膠層為掩膜對所述掩膜層進行刻蝕；

以所述掩膜層為掩膜對所述半導體襯底進行刻蝕。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述種子層的材料為硅氧化物。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述硅氧化物是通過硅烷與N₂O經等離子增強化學氣相沉積形成的。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述c)步驟包括：

在所述b)步驟所獲得的器件上形成種子材料層；以及

執行化學機械研磨工藝至露出所述第一鰭的上表面，以形成所述種子層。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底的材料為硅，所述第二高度是所述第一高度的60-100％。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底的材料為絕緣體上硅，所述第二高度是所述第一高度的50-70％。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化物層是通過臭氧和正硅酸乙酯經化學氣相沉積法形成的。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一寬度是所述第二寬度的1.5-2.5倍。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一寬度是所述第二寬度的2倍。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鰭是采用外延生長法形成的。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鰭中摻雜有硼、磷和鍺中的一種或多種。