[發(fā)明專利]交指型共擠設(shè)備及用于沉積包括交指型材料的結(jié)構(gòu)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110425122.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102646752A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | D·K·福克;K·A·利陶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 帕洛阿爾托研究中心公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京北翔知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11285 | 代理人: | 楊勇;鄭建暉 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 交指型共擠 設(shè)備 用于 沉積 包括 交指型 材料 結(jié)構(gòu) 方法 | ||
1.一種共擠設(shè)備,包括:
至少一個(gè)第一入口,用于接收第一材料;
至少一個(gè)第二入口,用于接收第二材料;
第一組合通道,所述第一組合通道被布置為接收所述第一材料和所述第二材料,并將所述第一材料和所述第二材料組合成在一個(gè)第一方向上流動(dòng)的一個(gè)第一組合流;
分裂通道,所述分裂通道被布置為接收所述第一組合流,并將所述第一組合流分裂成在一個(gè)第二方向上的至少兩個(gè)分裂流,所述第二方向至少部分地正交于所述第一方向,其中每個(gè)分裂流是由所述第一材料和所述第二材料組成;
第二組合通道,所述第二組合通道被布置為接收所述分裂流,并將所述分裂流組合成在所述第一方向上的一個(gè)第二組合流;及
至少一個(gè)出口,所述至少一個(gè)出口被布置為允許所述材料作為單個(gè)流流出所述設(shè)備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共擠設(shè)備,其中所述組合通道還被布置為聚焦所述組合流,以使得所述組合流的橫向延伸量小于該流被組合之前的個(gè)體流的橫向延伸量之和的橫向延伸量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共擠設(shè)備,其中所述共擠設(shè)備具有多個(gè)分裂通道和多個(gè)組合通道。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的共擠設(shè)備,其中所述出口與一個(gè)最終組合通道流體連通,以允許所述材料作為一個(gè)最終組合流流出所述設(shè)備。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共擠設(shè)備,其中所述設(shè)備中的通道被清掃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共擠設(shè)備,其中所述出口是斜切的。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的共擠設(shè)備,其中所述設(shè)備以相對(duì)于襯底成一個(gè)角度的方式位于所述襯底附近。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的共擠設(shè)備,還包括一個(gè)第三入口,用于接收第三材料,所述第一組合通道被布置為接收所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料,并將它們組合成所述第一組合流。
9.一種共擠設(shè)備,包括:
第一片材料,所述第一片材料具有至少一個(gè)分離結(jié)構(gòu)陣列以及至少一個(gè)分裂結(jié)構(gòu)陣列,所述分離結(jié)構(gòu)和所述分裂結(jié)構(gòu)具有入口和出口;
第二片材料,所述第二片材料被布置為與所述第一片材料相鄰,所述第二片材料具有至少一個(gè)組合結(jié)構(gòu)陣列以及至少一個(gè)擠壓結(jié)構(gòu)陣列,所述組合結(jié)構(gòu)具有入口和出口;
所述分離結(jié)構(gòu)的出口與所述組合結(jié)構(gòu)的入口對(duì)齊;
所述組合結(jié)構(gòu)的出口與所述分裂結(jié)構(gòu)的入口對(duì)齊;及
所述分裂結(jié)構(gòu)的出口要么與另一組合結(jié)構(gòu)陣列的入口對(duì)齊,要么與一個(gè)擠壓結(jié)構(gòu)陣列的入口對(duì)齊。
10.一種用于沉積包括交指型材料的結(jié)構(gòu)的方法,包括:
將在第一方向上的至少兩個(gè)材料的流合并成一個(gè)第一組合流;
在第二方向上分割所述第一組合流,以產(chǎn)生至少兩個(gè)分離流,其中所述第二方向垂直于所述第一方向;及
將這兩個(gè)分離流合并成一個(gè)第二組合流。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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