[發明專利]用于CVD和ALD Si02薄膜的氨基乙烯基硅烷

無效

• 申請號: 201110423964.3
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN102534548A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 蕭滿超;楊柳;K·S·卡思爾;H·R·鮑恩;韓冰;M·L·奧尼爾
• 申請（專利權）人: 氣體產品與化學公司
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;C23C16/455;H01L21/316;C07F7/10
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 吳亦華;徐志明

1.一種形成在HF溶液中具有極低濕法蝕刻速率的二氧化硅薄膜的低壓、熱化學氣相沉積方法，包括：

a.將提供硅源的第一前體輸送至低壓、熱化學氣相沉積反應器，其中該第一前體選自：R¹_nR²_mSi(NR³R⁴)_4-n-m和(R¹R²SiNR³)_p的環硅氮烷，其中R¹是C₂-C₁₀烯基或芳香基，優選選自乙烯基、烯丙基和苯基；R²、R³和R⁴選自H，直鏈、支鏈或環狀C₁-C₁₀烷基，直鏈、支鏈或環狀C₂-C₁₀烯基，和芳香基；且n＝1-3，m＝0-2，p＝3-4；優選地，所述第一前體為雙(異丙氨基)乙烯基甲基硅烷；

b.將提供氧源的第二前體輸送至該反應器；

c.使第一和第二前體在400℃至700℃的溫度和100mT至1T的壓力下反應。

2.權利要求1的方法，其中所述氧前體選自氧氣、臭氧及其混合物。

3.一種形成在HF溶液中具有極低濕法蝕刻速率的二氧化硅薄膜的原子層沉積方法，包括：

a.將提供硅源的第一前體輸送至原子層沉積反應器，其中第一前體選自：R¹_nR²_mSi(NR³R⁴)_4-n-m和(R¹R²SiNR³)_p的環硅氮烷；其中R¹是C₂-C₁₀烯基或芳香基；R²、R³和R⁴選自H，直鏈、支鏈或環狀C₁-C₁₀烷基，直鏈、支鏈或環狀C₂-C₁₀烯基，和芳香基；且n＝1-3，m＝0-2，p＝3-4；

b.用惰性氣體吹掃該反應器；

c.將提供氧源的第二前體輸送至該反應器；

d.用惰性氣體吹掃該反應器；

e.重復(a)-(d)之間的步驟直到達到希望的薄膜厚度。

4.權利要求3的方法，其中R¹選自乙烯基、烯丙基和苯基。

5.權利要求3的方法，其中所述第一前體為雙(異丙氨基)乙烯基甲基硅烷。

6.權利要求3-5任一項的方法，其中所述氧前體選自氧氣、臭氧及其混合物。

7.一種形成在HF溶液中具有極低濕法蝕刻速率的二氧化硅薄膜的循環化學氣相沉積方法，包括：

a.將提供硅源的第一前體輸送至循環化學氣相沉積反應器，其中第一前體選自：R¹_nR²_mSi(NR³R⁴)_4-n-m和(R¹R²SiNR³)_p的環硅氮烷；其中R¹是C₂-C₁₀烯基或芳香基；R²、R³和R⁴選自H，直鏈、支鏈或環狀C₁-C₁₀烷基，直鏈、支鏈或環狀C₂-C₁₀烯基，和芳香基；且n＝1-3，m＝0-2，p＝3-4；

b.用惰性氣體吹掃該反應器0.1-1秒；

c.將提供氧源的第二前體輸送至該反應器；

d.用惰性氣體吹掃該反應器0.1-1秒；

e.重復(a)-(d)之間的步驟直到達到希望的薄膜厚度。

8.權利要求7的方法，其中R¹選自乙烯基、烯丙基和苯基。