[發明專利]一種晶體硅太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝

無效

• 申請號: 201110423222.0
• 申請日: 2011-12-16
• 公開（公告）號: CN102534547A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 謝忠陽;朱生賓;劉光;王永豐
• 申請（專利權）人: 合肥晶澳太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種晶體硅太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝，其特征是：選取磷擴散后的晶體硅片，采用PECVD工藝在硅片行進方向上設定不同的微波功率、溫度和氣體流量比參數，從而形成一個由下到上折射率依次降低但無明顯界限的漸變氮化硅減反射膜。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝，其特征是：所述氣體為硅烷和氨氣，所述硅烷和氨氣的流量比為1:1~7。

3.根據權利要求1或2所述的晶體硅太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝，其特征是：所述微波功率為2000~4000w。

4.根據權利要求3所述的晶體硅太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝，其特征是：所述溫度為400~500℃。

5.根據權利要求4所述的太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝，其特征是：設定微波功率和溫度恒定，采用PECVD工藝在硅片行進方向上調整硅烷和氨氣的流量比逐步增大，從而形成一個由下到上折射率依次降低但無明顯界限的漸變氮化硅減反射膜。

6.根據權利要求4所述的晶體硅太陽電池的漸變減反射氮化硅薄膜的制備工藝，其特征是：設定溫度恒定，采用PECVD工藝在硅片行進方向上調整微波功率逐步增大，同時調整硅烷和氨氣的流量比逐步增大，從而形成一個由下到上折射率依次降低但無明顯界限的漸變氮化硅減反射膜。