[發明專利]一種降低射頻耦合的等離子體處理裝置及載置臺

有效

• 申請號: 201110420481.8
• 申請日: 2011-12-15
• 公開（公告）號: CN103165380A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 凱文·佩爾斯
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/02
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 吳世華;馮志云

1.一種降低射頻耦合的等離子體處理裝置的載置臺，所述載置臺用于載置被處理基板，所述載置臺至少包括：

下部電極，其與設置于所述載置臺之外的上部電極相適應并配合產生用于對被處理基本進行的射頻；

基板固定裝置，其設置于所述下部電極的上方，用于載置被處理基板；

其特征在于，至少所述下部電極的上部的至少一個區域被設置為電容耦合區，所述電容耦合區由多層金屬層與多層絕緣層間隔地組成。

2.根據權利要求1所述的載置臺，其特征在于，所述耦合區的最下層為絕緣層，從該絕緣層向上依次為金屬層、絕緣層地相間隔設置。

3.根據權利要求1或2所述的載置臺，其特征在于，所述耦合區的最上層為金屬層，且從該金屬層向下依次為絕緣層、金屬層地相間隔設置。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的載置臺，其特征在于，所述絕緣層的厚度在如下范圍內：0.1到10毫米。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的載置臺，其特征在于，至少兩個所述絕緣層的厚度是不同的。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的載置臺，其特征在于，至少兩層所述絕緣層的材質是不同的。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的載置臺，其特征在于，所述絕緣層包括如下物質中的任一種或任多種：

氧化鋁；

氮化鋁；

Low-K材料；或者

-其他高電阻硅材料。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的載置臺，其特征在于，所述金屬層的厚度在如下范圍內：0.1到10毫米。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的載置臺，其特征在于，至少兩個所述金屬層的厚度是不同的。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的載置臺，其特征在于，至少兩層所述金屬層的材質是不同的。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的載置臺，其特征在于，所述金屬層包括如下物質中的任一種或任多種：

-鋁；

-鐵；

-銅；?

-錫；以及

-多晶硅材料。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的載置臺，其特征在于，所述絕緣層與金屬層呈凹狀。

13.一種等離子體處理裝置，用于對基板進行等離子化處理，其包括：

對被處理基板進行等離子體處理的處理容器；

將處理氣體導入該處理容器的處理氣體導入部；

用于對所述處理容器內進行真空排氣的單元；

其特征在于，還包括設置在所述處理容器內的根據權利要求1~12中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺；以及

與所述載置臺相對的方式設置在所述載置臺的上方的上部電極。