[發明專利]晶圓測試裝置及方法有效

申請號：	201110420013.0	申請日：	2011-12-15
公開（公告）號：	CN102520332A	公開（公告）日：	2012-06-27
發明（設計）人：	王釗	申請（專利權）人：	無錫中星微電子有限公司
主分類號：	G01R31/26	分類號：	G01R31/26;G01R1/073
代理公司：	無錫互維知識產權代理有限公司 32236	代理人：	戴薇
地址：	214028 江蘇省無錫市***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	測試裝置方法
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【說明書】：

【技術領域】

本發明涉及晶圓測試領域，特別涉及一種晶圓測試裝置及方法。

【背景技術】

在芯片制造流程上，主要可分為IC設計、晶圓制程、晶圓測試及晶圓封裝四大步驟。

晶圓初始通常為4英寸，6英寸，8英寸，12英寸等直徑規格的圓形硅片。在晶圓制程階段，會在晶圓上形成緊密規則分布的數量很大的晶片，根據不同晶片大小，一個晶圓上可以存在著幾十至幾十萬顆晶片。而在晶圓測試階段，通常是由測試機臺與探針卡共同構建一個測試環境，在此環境下測試晶圓上的晶片，以確保各個晶片的電氣特性與功能都符合設計的規格和規范。未能通過測試的晶片將會被標記為不良產品或者壞片，在其后的切割封裝階段將被剔除。只有通過測試的晶片才會被封裝為芯片。在晶圓測試階段，為了提高芯片的良率和質量，通常還需要對芯片的若干參數進行必要的修調和編程，從而實現更高性能或者差異化的功能。晶圓測試對于降低芯片的生產成本和提高芯片的質量是非常必要的。而一個優質的芯片測試環境將是這一切的一個非常重要的保證。

現有技術中的一種晶圓測試方法為：對于一種型號的晶片，預先設計提供一套探針卡，該探針卡上包括用于測量晶片電信號的測量探針和用于修調和編程晶片的熔斷探針；首先，通過該探針卡上的測量探針測量晶片是否符合設計的規格和規范；然后，根據測量結果通過熔斷探針對晶片進行修調或編程，此處的“修調”通常是指通過熔斷探針對晶片中預先設計的電阻網絡、熔絲或者齊納二極管之類的器件進行選擇性熔斷以改良晶片的性能，此處的“編程”通常是指通過熔斷探針對晶片中預先設計的熔絲進行熔斷以選擇晶片的不同功能；在修調或編程后，再次通過測量探針測量修調或者編程后的晶片是否已經達到了修調目的或達到了設計規范。在整個過程中，探針卡上的各個探針通常一一對應地與晶片上的對應接點緊密接觸，并且不發生移動。

在實現本發明的過程中，發明人發現現有技術至少存在如下缺陷：第一，現有技術中的探針卡通常存在漏電，在使用包括漏電的探針卡進行測試時，如果這些漏電出現在晶片的低阻抗節點(如該節點驅動能力很強)上，則對晶片內的電路的影響很小。但對于一些高精度、低功耗模擬電路來說，存在一些高阻抗節點，如果探針探測這些高阻抗節點時，探針上的漏電產生的影響則很大，等效改變的電壓幅度近似為漏電電流乘以該高阻抗節點的阻抗值。比如，探測卡的一部分被設計為修調一個基準電壓至3V+/-1％的精度，當被測試晶片接上探針后，由于探針上的漏電電流的干擾導致本來電壓值為3.04V的晶片實際電壓被測量為2.98V，則系統判斷該被測試晶片為無需修調，但是探針移除后，該被測試晶片的真實電壓為3.04V，其實是需要修調的晶片。第二，探針與晶片之間容易產生寄生電容，寄生電容對測量探針的準確性也有一定影響，甚至會引起環路振蕩。

為此，有必要提供一種新的技術方案來解決上述問題。

【發明內容】

本部分的目的在于概述本發明的實施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和發明名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和發明名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本發明的范圍。

本發明的一個目的在于提供一種晶圓測試裝置，其可以消除探針上的漏電對晶片測試的影響。

本發明的另一目的在于提供一種晶圓測試方法，其可以結合所述晶圓測試裝置使用，以消除探針上的漏電對晶片測試的影響。

為了達到本發明的目的，根據本發明的一個方面，本發明實施例提供一

種晶圓測試裝置，所述裝置包括：

至少一套測量探針卡，所述測量探針卡中包括用于測量晶片信號的測量探針；

至少一套熔斷探針卡，所述熔斷探針卡中包括用于對所述晶片進行修調或者編程的熔斷探針。

進一步地，所述晶圓測試裝置包括若干套測量探針卡，每套測量探針卡中包括用于一個測試項目的測量探針。

進一步地，所述晶圓測試裝置還包括與所述測量探針卡和所述熔斷探針卡相連的測試機臺，所述測試機臺中包括用于存儲所述測量探針卡的測量結果的存儲裝置。

根據本發明的另一方面，本發明還提供一種晶圓測試方法，用于前述測試裝置中，所述方法包括：