[發明專利]一種用于硅片表面制樣的表面處理及腐蝕的工藝和裝置

有效

• 申請號: 201110417124.6
• 申請日: 2011-12-14
• 公開（公告）號: CN103165407A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 盛方毓;閆志瑞;馮泉林
• 申請（專利權）人: 有研半導體材料股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 郭佩蘭

1.一種用于硅片表面制樣的表面處理及腐蝕的工藝：其特征在于：它包括以下步驟：

(1)、將硅片放入腐蝕裝置硅片臺的支撐柱上，再關閉腐蝕腔體的蓋子；

(2)、臭氧進入密封的腐蝕腔體內，與硅片表面接觸，將硅片表面氧化成致密的氧化膜，打開排氣系統的閥門(V5)；

(3)、用氮氣將氫氟酸汽霧帶入腐蝕腔體內，硅片臺下方同時進行降溫，使HF汽霧在硅片表面凝結反應，更好的將氧化膜腐蝕掉，多余氣體經排氣孔(1-4)排入專門的酸排氣管道；

(4)、繼續向密封的腐蝕腔體內通入氮氣，腔體內不再有HF汽霧；

(5)、腐蝕腔體的蓋子取出硅片到下一個硅片掃描裝置進行硅片表面的掃描和樣本收集。

2.根據權利要求1所述的一種用于硅片表面制樣的表面處理及腐蝕工藝，其特征在于：降溫的溫度控制在14℃-16℃，時間控制在10分鐘到15分鐘之間。

3.一種用于權利要求1所述工藝的硅片表面制樣的表面處理及腐蝕裝置，它包括：腐蝕腔體(1)、蓋罩(2)，腔體內設有硅片臺(4)及通臭氧或氮氣入口(1-1)、由氮氣作為載體的HF氣體入口(1-2)、以及排氣口(1-4)，還包括外設的HF容器(5)，其特征在于：通臭氧或氮氣的入口(1-1)串接閥門V2、流量調節閥MFC₁，MFC₁的另一端接三通，三通的一端接氮氣管路，三通的另一端接臭氧管路的出口。

4.根據權利要求3所述的一種用于硅片表面制樣的表面處理及腐蝕裝置，其特征在于：臭氧管路中包括臭氧發生器(6)，臭氧發生器為氧氣經紫外線照射而形成臭氧的臭氧發生器。

5.根據權利要求3所述的一種用于硅片表面制樣的表面處理及腐蝕裝置，其特征在于：所述的由氮氣作為載體的HF氣體入口管路中設有流量調節閥MFC₂及氮氣壓力控制閥V6。