[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110416281.5
• 申請日: 2011-12-05
• 公開（公告）號: CN103094463A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 羅偉誠;詹峯益;姜崇義
• 申請（專利權(quán)）人: 華新麗華股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳亮

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，包含：

一芯片，具有至少一電極部；

一基材，具有至少一線路部；以及

至少一粘合層，設(shè)置于該至少一電極部及該至少一線路部之間以形成電性連接；

其中，該粘合層為一負熱膨脹系數(shù)材料，其包含一金屬化合物材料。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該負熱膨脹系數(shù)材料的一工作溫度為-273℃至800℃。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少一電極部具有一第一電極及一第二電極，該至少一線路部具有一第一線路部及一第二線路部，該至少一粘合層具有一第一粘合層及一第二粘合層，該第一粘合層設(shè)置于該第一電極部及該第一線路部之間以形成電性連接，且該第二粘合層設(shè)置于該第二電極部及該第二線路部之間以形成電性連接，且該第一粘合層及該第二粘合層具有相異的熱膨脹系數(shù)。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬化合物材料包含鎢酸鋯、鈦酸鉛、鈦酸鋇、釩酸鋯、釩酸鉭、鋰鋁硅酸鹽、碘化銀或其組合。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該至少一粘合層更包含玻璃陶瓷、樹脂、陶瓷或其組合。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片為一發(fā)光二極體芯片。

7.如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片的長或?qū)捊橛?50μm至1500μm。

8.如權(quán)利要求7所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該芯片的一尺寸為45mil×45mil。

9.一種封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包含：

形成至少一電極部于一裸晶上，以構(gòu)成一芯片；

形成至少一線路部于一基板上，以構(gòu)成一基材；

于該至少一電極部及該至少一線路部之間設(shè)置至少一粘合層，以使該芯片與該基材電性連接；

其中，該至少一粘合層為一負熱膨脹系數(shù)材料，其包含一金屬化合物材料。

10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，設(shè)置該至少一粘合層的一工作溫度范圍為-273℃至800℃之間。

11.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，形成該至少一電極部的步驟更包含形成一第一電極及形成一第二電極的二步驟，形成該至少一線路部的步驟更包含形成一第一線路部及形成一第二線路部的二步驟，且設(shè)置該至少一粘合層的步驟更包含于該第一電極部及該第一線路部之間設(shè)置一第一粘合層，于該第二電極部及該第二線路部之間設(shè)置一第二粘合層的二步驟，且該第一粘合層及該第二黏合層具有相異的熱膨脹系數(shù)。

12.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于，該至少一粘合層以印刷、電鍍、蒸鍍、濺鍍、化鍍、植球、凸塊或涂布設(shè)置于該至少一電極部及該至少一線路部之間。