[發明專利]卡吸裝置和卡吸方法

有效

• 申請號: 201110415647.7
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN102543814A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 大井浩之
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B25B11/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 浦易文;李丹丹

1.一種具有吸孔的卡吸裝置，所述卡吸裝置保持半導體基板，所述裝置包括：

基部，所述基部具有支承所述半導體基板的多個突出部分；

多個吸孔，所述多個吸孔可彼此獨立地真空抽吸并設置在所述突出部分中的至少一個部分內；以及

真空產生單元，所述真空產生單元以不同時序真空抽吸所述多個吸孔。

2.如權利要求1所述的卡吸裝置，其特征在于，

所述真空產生單元從設置在支承所述半導體基板的外部周邊部分側的位置的所述吸孔朝向設置在支承中心部分側位置的所述吸孔、或從設置在支承所述半導體基板的所述中心部分側的位置的所述吸孔朝向設置在支承所述外部周邊部分側的位置的所述吸孔依次真空抽吸所述吸孔。

3.一種具有吸孔的卡吸裝置，所述卡吸裝置保持半導體基板，所述裝置包括：

基部，所述基部具有支承所述半導體基板的多個突出部分；

多個吸孔，所述多個吸孔設置在所述突出部分中的至少一個部分內；

真空產生單元，所述真空產生單元真空抽吸所述多個吸孔；以及

氣流源，所述氣流源使放置在所述基部上方的所述半導體基板的基部側的氣體的流速大于所述半導體基板的與所述基部側相反一側的氣體的流速。

4.如權利要求3所述的卡吸裝置，其特征在于，還包括：

控制單元，所述控制單元控制所述真空產生單元和所述氣流源，其中

所述控制單元在使用所述氣流源調整氣體流速之后使用所述真空產生單元真空抽吸所述吸孔。

5.如權利要求1至4任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，還包括：

周緣部分，所述周緣部分支承所述半導體基板的外部周邊部分。

6.如權利要求5所述的卡吸裝置，其特征在于，

卡吸所述半導體基板的所述外部周邊部分的吸孔設置在所述周緣部分內。

7.如權利要求1至6任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

所述吸孔連接至貫穿設有所述吸孔的所述突出部分的通氣孔，且所述吸孔的內徑大于所述通氣孔的內徑。

8.如權利要求1至7任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

在所述吸孔的開口部分上實施倒角加工。

9.如權利要求1至8任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

在所述突出部分的支承所述半導體基板的一側的端部上實施倒角加工。

10.如權利要求1至9任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

在所述突出部分的支承所述半導體基板的一側的端部上設置由吸收從由所述突出部分支承的所述半導體基板接收的外力的材料形成的構件。

11.如權利要求1至10任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

相鄰的突出部分之間的間隔在支承所述半導體基板的一側比在基部側寬。

12.如權利要求1至11任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

未設置所述吸孔的所述突出部分的寬度小于設有所述吸孔的所述突出部分的寬度。

13.如權利要求1至12任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

所述突出部分從所述基部表面起算的高度都相等。

14.如權利要求1至13任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

在所述突出部分內設置螺紋部，在所述基部內設置接納所述突出部分的所述螺紋部的螺紋孔，且所述突出部分的所述螺紋部擰入所述基部的所述螺紋孔，使得所述突出部分從所述基部表面起算的高度都相等。

15.如權利要求5至14任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

所述突出部分和所述周緣部分支承所述半導體基板的主表面側的比遠離所述外周部分更遠離內部的部分，所述主表面由于繞所述外周較厚地保留的外周部分而具有臺階形式。

16.如權利要求5至13任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

所述突出部分從所述基部表面起算的高度大于所述周緣部分從所述基部表面起算的高度。

17.如權利要求5至16任一項所述的卡吸裝置，其特征在于，

所述周緣部分設置成能相對于支承在所述周緣部分上的所述半導體基板的表面沿垂直方向移動。