[發明專利]一種硒化鉛半導體薄膜的制備方法無效
| 申請號： | 201110415443.3 | 申請日： | 2011-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN102517552A | 公開（公告）日： | 2012-06-27 |
| 發明（設計）人： | 羅飛;劉大博 | 申請（專利權）人： | 中國航空工業集團公司北京航空材料研究院 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中國航空專利中心 11008 | 代理人： | 陳宏林 |
| 地址： | 1000*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硒化鉛 半導體 薄膜 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種硒化鉛半導體薄膜的制備方法，其特征在于：該方法的步驟是：
(1)制備前對襯底進行去油、去污清洗；
(2)制備時先在氬氣氣氛中用50～100W功率離子源轟擊襯底表面10～20min，除去表面的氧化物和其它雜質；
(3)采用硒鉛原子比為1∶1純度為99.99/％的硒化鉛復合靶材，采用非平衡中頻反應磁控濺射系統，功率為50～150W，非平衡中頻反應磁控濺射系統的本底真空度為10-5Pa～10-3Pa；
濺射過程中工作氣體為高純氬氣，流量為10～30cm3/min，反應氣體為高純氧氣，氧氣流量在0.5～2.5sccm范圍內，濺射過程中的工作氣壓為10-2Pa～10-1Pa，靶材與襯底間的距離為45～80mm，襯底的加熱溫度為50～200℃，濺射30～180min后切斷電源，保持真空冷卻。
2.根據權利要求1所述的硒化鉛半導體薄膜的制備方法，其特征在于：制備前對襯底進行去油、去污清洗的方法是將襯底在無水乙醇和丙酮中超聲清洗10～20min，再經去離子水清洗后烘干待用。
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