[發明專利]一種生長高質量SiC單晶的籽晶處理方法

無效

• 申請號: 201110414436.1
• 申請日: 2011-12-13
• 公開（公告）號: CN103160928A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李翠;楊志民;楊立文;蔣秉軒
• 申請（專利權）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/02
• 代理公司: 北京北新智誠知識產權代理有限公司 11100
• 代理人: 程鳳儒

1.一種用于生長高質量SiC晶體的籽晶處理方法，其特征在于：該方法包括在籽晶背面形成金屬膜層，然后將該金屬膜層經過一次或多次熱處理形成金屬化合物致密膜層。

2.根據權利要求1所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述熱處理包括低溫熱處理和高溫熱處理過程，其中低溫熱處理過程為：在氬氣氣氛下將鍍有金屬膜的籽晶放入石墨坩堝中，加熱到500～1000℃保溫30～200分鐘；高溫熱處理過程為：將經過低溫熱處理過程的籽晶片放入石墨坩堝中，在氬氣氣氛中，加熱到1800～2300℃保溫30～300分鐘。

3.根據權利要求2所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述氬氣氣氛的氣壓為5000Pa～10⁵Pa。

4.根據權利要求1所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述金屬膜層采用熱蒸發、磁控濺射、電子束蒸發或脈沖激光沉積法沉積在籽晶背面。

5.根據權利要求1所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述金屬膜層的材料選自鎢、鉭、鉬、鋨、銥、錸、鈮、鈦和鋯中的高熔點金屬或其合金、或該些金屬的碳化物、硼化物或氮化物。

6.根據權利要求1-5任一項所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述金屬化合物致密膜層為單層膜或多層膜，每層膜的厚度為0.2～5微米。

7.根據權利要求6所述的籽晶處理方法，其特征在于：每層膜的厚度為0.5～1微米。

8.根據權利要求6所述的籽晶處理方法，其特征在于：形成每一層金屬化合物致密膜層所選用的材料相同或不同。

9.根據權利要求1所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述籽晶為SiC籽晶。

10.根據權利要求9所述的籽晶處理方法，其特征在于：所述SiC籽晶為4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC或3C-SiC。