[發明專利]用于等離子體浸沒注入中控制注入元素分布陡度的方法在審
| 申請號： | 201110412556.8 | 申請日： | 2011-12-12 |
| 公開（公告）號： | CN103165372A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 汪明剛;李超波;夏洋 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01J37/317 | 分類號： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人： | 劉麗君 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 等離子體 浸沒 注入 控制 元素 分布 陡度 方法 | ||
1.一種用于等離子體浸沒注入中控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，通過多能量注入的方式進行離子注入摻雜。
2.如權利要求1所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述多能量是在一個能量區間的不同能量，所述能量區間存在最低能量與最高能量。
3.如權利要求2所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述最低能量是實現摻雜元素注入而不沉積在硅基片表面的最小能量，所述最高能量是注入結深的最大注入能量。
4.如權利要求3所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述最低能量是零。
5.如權利要求2所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，所述多能量注入的方式為注入能量在位于最低能量與最高能量之間隨時間連續變化或者不連續變化。
6.如權利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量從最低能量隨時間變化到最高能量，或者是注入能量從最高能量隨時間變化到最低能量。
7.如權利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量從最低能量隨時間變化到最高能量并從最高能量變化到最低能量，或者是注入能量從最高能量隨時間變化到最低能量并從最低能量變化到最高能量。
8.如權利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量在最低能量與最高能量之間以預設規律隨時間連續變化或者不連續變化。
9.如權利要求8所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量在最低能量與最高能量之間以預設規律隨時間連續或者不連續的周期變化。
10.如權利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，在進行離子注入摻雜時，多次以多能量注入的方式進行離子注入摻雜。
11.如權利要求5所述的控制注入元素分布陡度的方法，其特征在于，注入能量的控制由負直流偏置電壓或脈沖直流偏壓實現，注入能量與負偏置電壓之間具有線性關系。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110412556.8/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種離子遷移譜的氣體膜進樣裝置
- 下一篇：雙模式讀取裝置及電路
