[發(fā)明專利]控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110412322.3 | 申請(qǐng)日： | 2011-12-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103159312A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 程樂明;張玉寶;王青;谷蔚;李成學(xué);谷俊杰;曹雅琴;宋慶峰;高志遠(yuǎn) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 新奧科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C02F1/72 | 分類號(hào)： | C02F1/72;C02F11/06 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 孫紀(jì)泉 |
| 地址： | 065001 河北省廊坊市*** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 控制 氧化 反應(yīng) 區(qū)域 裝置 方法 | ||
1.一種控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，包括：
殼體，內(nèi)部形成腔室；
涂覆在所述殼體內(nèi)壁上的耐溫涂層；
原料入口，設(shè)置在所述腔室的第一端壁上，并被構(gòu)造成將包括有機(jī)物和亞臨界水、或者有機(jī)物和超臨界水的原料輸送到所述腔室；
至少一個(gè)氧化劑入口，設(shè)置在所述第一端壁上，并被構(gòu)造成向所述腔室輸送氧化劑；
催化反應(yīng)裝置，通過支撐裝置安裝在所述腔室內(nèi)，用以催化所述原料與氧化劑發(fā)生的氧化反應(yīng)，形成反應(yīng)后混合物；以及
出料口，設(shè)置在所述殼體的與所述第一端壁相對(duì)的第二端壁上，并被構(gòu)造成將所述反應(yīng)后混合物排出所述殼體。
2.如權(quán)利要求1所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，所述原料入口的末端的內(nèi)徑從所述殼體的外部到內(nèi)部逐漸縮小，從而使所述末端的內(nèi)壁與所述原料入口的軸線之間形成夾角β，所述夾角β為5-60°。
3.如權(quán)利要求1所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，所述氧化劑入口的軸線與所述原料入口的軸線之間的夾角α為5-65°。
4.如上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，催化反應(yīng)裝置包括：
主體部，被支撐在所述支撐裝置上；
至少一個(gè)流道，所述反應(yīng)后混合物在所述流道內(nèi)流動(dòng)，所述流道在所述反應(yīng)后混合物的流動(dòng)方向上貫穿所述主體部；以及
催化劑層，設(shè)置在所述主體部的面對(duì)所述原料入口的一端，所述催化劑層上形成至少一個(gè)貫穿所述催化劑層的、與所述流道連通的通孔。
5.如權(quán)利要求4所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，所述催化劑層包括：
催化劑，包括Pt、Pd、Au、Ru、Ni、Co中的至少一種及其組成的混合物；以及
用于承載所述催化劑的催化劑載體，由TiO2、γ-Al2O3、ZrO2、CaO、La2O3、MgO、活性炭中的至少一種制成。
6.如權(quán)利要求4所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，每個(gè)所述流道的軸線設(shè)置成與所述原料入口的軸線平行或傾斜。
7.如權(quán)利要求4所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，所述支撐裝置連接在所述第一端壁和第二端壁之間的側(cè)壁與所述主體部之間。
8.如權(quán)利要求7所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，所述第二端壁可拆卸地安裝在位于所述第一端壁和第二端壁之間的側(cè)壁上，并且所述支撐裝置連接在所述主體部和所述第二端壁之間。
9.如權(quán)利要求1所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置，其中，所述殼體的外壁上設(shè)有冷卻裝置。
10.一種利用權(quán)利要求1-9中的任一項(xiàng)所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的裝置控制氧化反應(yīng)區(qū)域的方法，包括如下步驟：
通過所述至少一個(gè)氧化劑入口向所述腔室輸送氧化劑；
將包括有機(jī)物和亞臨界水、或者有機(jī)物和超臨界水的原料輸送到所述腔室，其中所述原料和所述氧化劑穿過催化反應(yīng)裝置；以及
將所述腔室內(nèi)的壓力設(shè)置在15-40MPa。
11.如權(quán)利要求10所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的方法，其中，所述原料在原料入口處的溫度為300-600℃。
12.如權(quán)利要求10所述控制氧化反應(yīng)區(qū)域的方法，其中，所述氧化劑在所述氧化劑入口處的溫度為常溫至650℃。
13.如權(quán)利要求10所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的方法，其中，在所述氧化劑入口處加入的氧化劑的量為所述原料的耗氧量的2-150％。
14.如權(quán)利要求10-13任一項(xiàng)所述的控制氧化反應(yīng)區(qū)域的方法，其中，所述氧化劑為液氧、雙氧水中的至少一種。
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