[發(fā)明專利]一種AlZnO紫外光電陰極材料及其紫外真空光電管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110408537.8 | 申請日： | 2011-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN102385939A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧宏;韋敏;鄧雪然 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01B1/08 | 分類號： | H01B1/08;H01J40/06;H01J40/16 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 alzno 紫外 光電 陰極 材料 及其 真空 光電管 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種AlZnO紫外光電陰極材料，包括襯底基片、沉積于襯底基片表面的金屬底電極和沉積于襯底金屬底電極表面的AlZnO合金薄膜；所述AlZnO合金薄膜的化學(xué)式為AlxZn1-xO1+0.5x，其中0.2≤x≤0.7。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AlZnO日盲紫外光電陰極材料，其特征在于，所述AlZnO合金薄膜的化學(xué)式AlxZn1-xO1+0.5x中，0.3≤x≤0.7。
3.一種紫外真空光電管，包括真空封裝的AlZnO紫外光電陰極和陽極；所述AlZnO紫外光電陰極包括襯底基片、沉積于襯底基片表面的金屬底電極和沉積于襯底金屬底電極表面的AlZnO合金薄膜；所述AlZnO合金薄膜的化學(xué)式為AlxZn1-xO1+0.5x，其中0.2≤x≤0.7。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的日盲紫外真空光電管，其特征在于，所述AlZnO合金薄膜的化學(xué)式AlxZn1-xO1+0.5x中，0.3≤x≤0.7。
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