[發明專利]半導體腔室用壓片裝置

有效

• 申請號: 201110408402.1
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN103165375A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李超波;屈芙蓉;陳瑤;劉傳欽;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種半導體腔室用壓片裝置，其特征在于，包括：

反應腔室、壓片架和載片機構；

所述壓片架設置在所述反應腔室的上半部；所述反應腔室設置有腔室內襯，所述腔室內襯與所述壓片架連接；所述載片機構設置在所述壓片架下端。

2.根據權利要求1所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述壓片架呈“凹”狀，所述壓片架的兩端具有通孔；所述腔室內襯插接在所述通孔中。

3.根據權利要求2所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述腔室內襯和所述壓片架之間還設置有聚四氟防護套。

4.根據權利要求1-3任一項所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于，還包括：

支撐托架，所述支撐托架分別與所述腔室內襯和所述壓片架連接。

5.根據權利要求4所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述支撐托架通過螺栓或螺釘與所述腔室內襯固定連接。

6.根據權利要求4所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述支撐托架為中心為空的環狀結構。

7.根據權利要求1-3任一項所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述壓片架為全環形結構，其內環邊緣采用倒圓錐斜面結構。

8.根據權利要求1-3任一項所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述壓片架的材料為石英。

9.根據權利要求1-3任一項所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述載片機構是靜電卡盤或載片臺。

10.根據權利要求1-3任一項所述的半導體腔室用壓片裝置，其特征在于：

所述反應腔室還設置有送片孔。