[發明專利]對地址不對稱NVM單元具有增強的效率的非易失性存儲器

有效

• 申請號: 201110408354.6
• 申請日: 2011-12-09
• 公開（公告）號: CN102568579A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: A.奈伊
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/08
• 分類號: G11C16/08;G11C16/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 王岳;盧江

1.一種電路，包括：

存取晶體管，包括柵極區域、源極區域、以及漏極區域，所述存取晶體管是PMOS晶體管；以及

磁性組件，被連接到所述存取晶體管的所述漏極區域。

2.根據權利要求1所述的電路，其中所述磁性組件包括磁性隧道結，所述磁性隧道結被配置為具有第一磁阻狀態和第二磁阻狀態。

3.根據權利要求2所述的電路，其中所述磁性隧道結包括：

第一磁性層；

第二磁性層，被布置在所述第一磁性層下面；以及

阻擋層，被布置在所述第一磁性層和所述第二磁性層之間。

4.根據權利要求3所述的電路，其中所述第一磁性層包括在兩個不同的磁阻狀態之間轉變的材料。

5.根據權利要求3所述的電路，其中所述第二磁性層包括固定的磁性狀態。

6.根據權利要求2所述的電路，進一步包括：

字線，連接到所述存取晶體管的柵極區域；

位線，經由所述磁性組件而連接到所述存取晶體管的所述漏極區域；以及

源極線，連接到所述存取晶體管的所述源極區域，所述字線、所述位線、以及所述源極線使得所述存取晶體管的驅動電流能夠在第一磁阻狀態和第二磁阻狀態之間轉換所述磁性組件。

7.一種襯底，包括：

第一摻雜區域，包括p型摻雜劑的多子；

第二摻雜區域，在所述襯底中包括n型摻雜劑的多子；

第三摻雜區域，在所述襯底中包括p型摻雜劑的多子，所述第二摻雜區域被設置在所述第一摻雜區域和所述第三摻雜區域之間；以及

磁性隧道結，與所述第三摻雜區域電通信。

8.根據權利要求7所述的襯底，其中所述磁性隧道結包括：

第一磁性層，包括第一磁阻狀態和第二磁阻狀態；

第二磁性層，在所述第一磁性層下面并且包括固定的磁性狀態；以及

隧道阻擋層，被布置在所述第一磁性層和所述第二磁性層之間。

9.根據權利要求8所述的襯底，其中所述磁性隧道結和第三摻雜區域與被配置為傳導位線電壓的金屬位線進行電通信。

10.根據權利要求9所述的襯底，其中所述第二摻雜區域與被配置為傳導字線電壓的金屬字線進行電通信。

11.根據權利要求10所述的襯底，其中所述第一摻雜區域與被配置為傳導源極線電壓的金屬源極線進行電通信。

12.根據權利要求11所述的襯底，其中所述位線電壓、所述字線電壓、以及所述源極線電壓以組合提供，該組合使得驅動電流能夠被提供到所述磁性隧道結以實現所述磁性隧道結的第一磁性狀態。

13.根據權利要求12所述的襯底，其中所述源極線電壓具有比所述位線電壓的絕對值更大的并且比所述字線電壓的絕對值更大的絕對值。

14.根據權利要求11所述的襯底，其中所述位線電壓、所述字線電壓、以及所述源極線電壓以組合提供，該組合使得驅動電流能夠被提供到所述磁性隧道結以實現所述磁性隧道結的第二磁性狀態。

15.根據權利要求14所述的襯底，其中所述位線電壓具有比所述源極線電壓的絕對值更大的并且比所述字線電壓的絕對值更大的絕對值。

16.根據權利要求7所述的襯底，進一步包括：體摻雜區域，包括p型摻雜劑的多子，使得p型摻雜劑的數目超過n型摻雜劑的數目。

17.根據權利要求7所述的襯底，進一步包括：體摻雜區域，包括n型摻雜劑的多子。

18.一種用于操作電路的方法，包括：

從PMOS晶體管向磁性隧道結提供第一驅動電流，以實現所述磁性隧道結的第一磁阻狀態；以及

從所述PMOS晶體管向所述磁性隧道結提供第二驅動電流，以實現所述磁性隧道結的第二磁阻狀態。

19.根據權利要求18所述的方法，其中從PMOS晶體管提供第一驅動電流包括所述PMOS晶體管的源極電壓具有比所述PMOS晶體管的柵極電壓和漏極電壓的絕對值更高的較高絕對值。

20.根據權利要求18所述的方法，其中從所述PMOS晶體管提供第二驅動電流包括所述PMOS晶體管的漏極電壓具有比所述PMOS晶體管的柵極電壓和漏極電壓的絕對值更高的較高絕對值。