[發明專利]用于光伏模塊的可交聯邊緣密封劑無效
| 申請號: | 201110408208.3 | 申請日: | 2011-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN103165707A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 張大為;G.W.普雷瓊;張家維;趙民驥;K.J.利里 | 申請(專利權)人: | 納幕爾杜邦公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;C09K3/10;H01L31/18 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王倫偉;李炳愛 |
| 地址: | 美國特拉華*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 模塊 交聯 邊緣 密封劑 | ||
1.?加邊框的太陽能電池模塊,包括:
(a)板狀太陽能電池模塊,其包括由一個或多個電互連的太陽能電池形成的太陽能電池組件;
(b)具有溝槽部分的框架體,所述太陽能電池模塊的外緣安裝在其中;和
(c)為了填充所述太陽能電池模塊的外緣與所述框架體的溝槽部分之間的空間而提供的密封劑材料,所述密封劑材料含有10-90重量%的離聚物和10-90重量%的乙烯共聚物的可交聯共混組合物形成,其中所述可交聯組合物中所含有的所有成分的總重量%之和為100重量%,且其中,
(i)所述離聚物源于前體酸共聚物,該共聚物基本上由乙烯的共聚單元,任選地至多40重量%的具有通式CH2=C(R1)CO2R2的第一烯烴的共聚單元和2-30重量%的具有通式CH2=C(R3)COOH的第二烯烴的共聚單元組成,其中所述前體酸共聚物中所含有的所有共聚單元的總重量%之和為100重量%,其中R1為氫或烷基,R2為烷基,且R3為氫或烷基,其中所述前體酸共聚物的至少部分羧酸基團被一種或多種陽離子中和以形成所述離聚物;
(ii)所述乙烯共聚物基本上由乙烯的共聚單元,任選地至多40重量%的第一烯烴的共聚單元和3-15重量%的具有通式CH2=C(R4)-D的第三烯烴的共聚單元組成,其中所述乙烯共聚物中所含有的所有共聚單元的總重量%之和為100?重量%,其中R4為氫或烷基,-D為選自-CO2R5、-CO2R6-R5、-R6-R5、-O-R5和-R5的基團,且其中R5為含有環氧基的基團,R6為亞烷基;和
(iii)所述第一、第二或第三烯烴中無一為二羧酸或二羧酸的二酯、單酯或酸酐。
2.?如權利要求1所述的加邊框的太陽能電池模塊,其中所述密封劑材料由如權利要求1中所述的可交聯共混組合物的交聯產物形成,且其中交聯形成于所述離聚物和所述乙烯共聚物之間。
3.?如權利要求1或2所述的加邊框的太陽能電池模塊,其中所述可交聯共混組合物中所含的離聚物和乙烯共聚物的重量比為80:20?至?20:80,或70:30?至?30:70;或60:40?至40:60。
4.?如權利要求1-3中任一權利要求所述的加邊框的太陽能電池模塊,其中所述第一烯烴選自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯和甲基丙烯酸丁酯,和/或所述第二烯烴為丙烯酸或甲基丙烯酸,和/或所述基團R5為縮水甘油基、氧化1,2-環己烯基或1,2-環氧基。
5.?如權利要求1-4中任一權利要求所述的加邊框的太陽能電池模塊,其中所述離聚物的所述前體酸共聚物含有5-40重量%,或10-35重量%,或10-30重量%的所述第一烯烴的共聚單元,其中所述前體酸共聚物中所含有的所有共聚單元的總重量%之和為100重量%,和/或其中所述離聚物的所述前體酸共聚物含有5-20重量%或5-15重量%的所述第二烯烴的共聚單元,其中所述前體酸共聚物中所含有的所有共聚單元的總重量%之和為100重量%,和/或其中所述離聚物的所述前體酸共聚物具有5?g/10?min或更高,或30?g/10?min或更高,或30-500?g/10?min的熔體流動速率,其是依照ASTM?D1238在190℃和2.16?kg的負載下測得的,和/或其中10-90%,或15-60%,或?15-40%的所述前體酸共聚物的羧酸基團被一種或多種陽離子中和以形成所述離聚物,和/或其中所述一種或多種陽離子選自Na+陽離子、Zn2+陽離子及其組合。
6.?如權利要求1-5中任一權利要求所述的加邊框的太陽能電池模塊,其中所述離聚物具有1?g/10?min或更高,或2-500?g/10?min,或4-500?g/10?min的熔體流動速率,其是依照ASTM?D1238在190℃和2.16?kg的負載下測得的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





