[發明專利]放射線攝像裝置、放射線攝像顯示系統以及晶體管有效
| 申請號： | 201110405694.3 | 申請日： | 2011-12-08 |
| 公開（公告）號： | CN102593164A | 公開（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發明（設計）人： | 山田泰弘;田中勉;高德真人 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01L29/43 | 分類號： | H01L29/43;H01L27/146;H04N5/32 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人： | 陳桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放射線 攝像 裝置 顯示 系統 以及 晶體管 | ||
1.一種晶體管，其包括在基板上依次設置的第一柵極電極、第一柵極絕緣體、半導體層、第二柵極絕緣體和第二柵極電極，
其中，所述第一柵極絕緣體和所述第二柵極絕緣體每一者均包括一層或多層含有氧的硅化合物膜，并且所述硅化合物膜的厚度總和為65nm以下。
2.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述硅化合物膜為氧化硅膜。
3.根據權利要求2所述的晶體管，其中，
所述第一柵極絕緣體是由從所述基板側依次層疊的氮化硅膜和氧化硅膜構成的層疊體，并且
所述第二柵極絕緣體是由從所述第一柵極電極側依次層疊的氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜構成的層疊體。
4.根據權利要求1所述的晶體管，其中，所述半導體層是由多晶硅、微晶硅、非晶硅或氧化物半導體制成的。
5.根據權利要求4所述的晶體管，其中，所述半導體層是由低溫多晶硅制成的。
6.一種放射線攝像裝置，其包括像素部，所述像素部包括光電轉換元件和如權利要求1至5任一項所述的晶體管。
7.根據權利要求6所述的放射線攝像裝置，還包括：
波長轉換層，所述波長轉換層被設置在所述像素部上，并且用于將放射線的波長轉換成在所述光電轉換元件的感光范圍內的波長。
8.根據權利要求6所述的放射線攝像裝置，其中，所述光電轉換元件具有吸收放射線并將所述放射線轉換成電信號的功能。
9.一種放射線攝像顯示系統，其包括攝像裝置和顯示裝置，所述攝像裝置基于放射線來獲取圖像，所述顯示裝置顯示由所述攝像裝置獲取的圖像，
其中，所述攝像裝置是如權利要求6至8任一項所述的放射線攝像裝置。
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