[發(fā)明專利]導(dǎo)電凸塊的柱設(shè)計(jì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110400027.6
• 申請(qǐng)日: 2011-12-02
• 公開（公告）號(hào): CN102891121A
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 謝政杰;黃震麟;蔡柏豪;侯上勇;林俊成;鄭心圃
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 北京德恒律師事務(wù)所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

第一襯底；以及

導(dǎo)電柱，向遠(yuǎn)離所述第一襯底的方向延伸，所述導(dǎo)電柱包括：垂直于所述第一襯底的一個(gè)或多個(gè)溝槽。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括：導(dǎo)電材料，位于所述一個(gè)或多個(gè)溝槽內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電材料為焊料，或者

進(jìn)一步包括：

第二襯底，位于所述第一襯底上方；以及

導(dǎo)電區(qū)域，位于所述第二襯底上方，其中，所述導(dǎo)電區(qū)域與所述導(dǎo)電材料相接觸，或者

其中，所述導(dǎo)電材料延伸超過所述導(dǎo)電柱的直徑，或者

其中，所述導(dǎo)電材料僅填充了所述一個(gè)或多個(gè)溝槽的一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電柱包含銅，或者

其中，所述一個(gè)或多個(gè)溝槽包括：對(duì)稱地設(shè)置在所述導(dǎo)電柱周圍的至少兩個(gè)或更多個(gè)溝槽。

5.一種半導(dǎo)體器件，包括：

鈍化層，位于襯底上方；

導(dǎo)電柱，延伸穿過所述鈍化層，所述導(dǎo)電柱具有外圓周；

多個(gè)凹槽，位于所述導(dǎo)電柱的所述外圓周的周圍；以及

導(dǎo)電材料，位于所述導(dǎo)電柱上方。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電材料為焊料，或者

其中，所述多個(gè)凹槽包括：四個(gè)凹槽，或者

其中，所述導(dǎo)電材料填充了所述鈍化層上方的所述多個(gè)凹槽，或者

其中，所述導(dǎo)電材料僅部分填充了位于所述鈍化層上方的所述多個(gè)凹槽，或者

進(jìn)一步包括：

第二襯底；以及

接觸件，位于所述第二襯底上方，其中，位于所述第二襯底上方的所述接觸件與所述導(dǎo)電材料相接觸。

7.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上方形成具有一個(gè)或多個(gè)溝槽的第一導(dǎo)電柱，所述一個(gè)或多個(gè)溝槽垂直于所述襯底；

將導(dǎo)電材料設(shè)置在所述第一導(dǎo)電柱上；以及

將所述導(dǎo)電材料回流，使得所述導(dǎo)電材料的一部分被動(dòng)地導(dǎo)入所述一個(gè)或多個(gè)溝槽中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：

將第二導(dǎo)電柱設(shè)置為與所述導(dǎo)電材料相接觸；以及

將所述導(dǎo)電材料回流，從而將第二導(dǎo)電柱與所述第一導(dǎo)電柱相接合，其中，所述導(dǎo)電材料將所述第一導(dǎo)電柱與所述第二導(dǎo)電柱自對(duì)準(zhǔn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，將所述導(dǎo)電材料回流進(jìn)一步形成延伸超過所述第一導(dǎo)電柱的直徑的所述導(dǎo)電材料的延伸部，或者

其中，形成具有一個(gè)或多個(gè)溝槽的所述導(dǎo)電柱進(jìn)一步包括：在所述導(dǎo)電柱周圍對(duì)稱地形成兩個(gè)或多個(gè)溝槽，或者

其中，所述導(dǎo)電柱包含銅。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，進(jìn)一步包括：在將所述導(dǎo)電材料設(shè)置在所述第一導(dǎo)電柱上以前，在所述第一導(dǎo)電柱上方形成勢(shì)壘層。