[發(fā)明專利]玻璃基板薄膜濺射靶材及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110398619.9
• 申請(qǐng)日: 2011-12-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102409294A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 寇浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/18
• 分類號(hào): C23C14/18;C23C14/34;C22C1/04;C03C17/09
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 何青瓦;丁建春

1.一種玻璃基板薄膜濺射靶材的制備方法，其特征在于，包括：

稱量用于制作玻璃基板薄膜濺射靶材的合金材料；

將稱量的合金材料添加到等離子體壓力成型燒結(jié)腔體中進(jìn)行燒結(jié)，得到靶材燒結(jié)體，燒結(jié)溫度為500℃～1600℃，燒結(jié)時(shí)間為5～20分鐘；

將燒結(jié)獲得的靶材燒結(jié)體進(jìn)行后期加工處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述合金材料的粒徑小于或等于100納米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述合金材料的成分配比為Mo_xCu_yTi_z，其中x，y，z均介于0-100％之間，且x+y+z＝100％。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)溫度為1400℃～1500℃，燒結(jié)時(shí)間為10～15分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)獲得的靶材燒結(jié)體的相對(duì)密度大于或等于99.5％，氧含量小于或等于500ppm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述合金材料的成分配比為(In₂O₃)_x(SnO₂)_y，其中y介于0～7％之間，且x+y＝100％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)溫度為600℃～700℃，燒結(jié)時(shí)間為10分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述燒結(jié)獲得的靶材燒結(jié)體的相對(duì)密度大于或等于99.8％，氧含量小于或等于1000ppm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在等離子體壓力成型燒結(jié)腔體中進(jìn)行燒結(jié)時(shí)，還包括對(duì)所述等離子體壓力成型燒結(jié)腔體從外部加壓。

10.一種玻璃基板薄膜濺射靶材，其特征在于，所述玻璃基板薄膜濺射靶材由權(quán)利要求1～9任一所述的制備方法制得。