[發明專利]一種三陰極等離子噴涂技術制備Y2O3涂層的方法

無效

• 申請號: 201110396560.X
• 申請日: 2011-12-02
• 公開（公告）號: CN103132004A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 王文東;劉邦武;夏洋;李勇滔
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: C23C4/10
• 分類號: C23C4/10;C23C4/12
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟(1)，選擇純度大于99.95％的Y₂O₃粉末；

步驟(2)，對被噴涂的基材表面進行預處理；

步驟(3)，通過三陰極等離子噴涂設備在所述基材表面進行等離子噴涂，制備出Y₂O₃涂層。

2.如權利要求1所述的三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，所述步驟(1)中的Y₂O₃粉末的粒度為5～100μm。

3.如權利要求1所述的三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，所述步驟(2)中對被噴涂的基材表面進行預處理，具體包括如下步驟：對被噴涂的基材表面進行噴砂處理，并用丙酮清洗。

4.如權利要求3所述的三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，所述噴砂處理采用的噴砂材料為白剛玉，噴砂粒度為50～100μm。

5.如權利要求1所述的三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，所述步驟(3)中三陰極等離子體噴涂設備使用的離子氣體為Ar和He，或Ar和H₂。

6.如權利要求5所述的三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，當所述離子氣體為Ar和He時，Ar氣體的流量為50～200L/min，He氣體的流量為20～50L/min；當所述離子氣體為Ar和H₂時，Ar氣體的流量為50～200L/min，H₂氣體的流量為15～50L/min。

7.如權利要求1所述的三陰極等離子噴涂技術制備Y₂O₃涂層的方法，其特征在于，所述步驟(3)中三陰極等離子噴涂設備的電弧電壓為50～200V，電弧電流為200～300A，送粉速度15～100g/min，噴涂距離80～200mm。