[發(fā)明專利]晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110396498.4
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102593316A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃圣德
• 申請（專利權(quán)）人: 三星LED株式會社
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/56
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓明星

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

近來，電子部件被小型化和輕型化，在發(fā)光二極管(LED)領(lǐng)域也是一樣。使電子部件小型化和輕型化的技術(shù)之一為晶片級封裝件。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片封裝件技術(shù)中，以單獨的單芯片單元執(zhí)行用于形成封裝件的后續(xù)工藝。然而，在晶片級封裝件技術(shù)中，在晶片上形成多個半導(dǎo)體芯片之后，執(zhí)行用于封裝半導(dǎo)體芯片的一系列組裝工藝，然后，通過切割晶片來制造最終產(chǎn)品。因此，近來已積極地進行關(guān)于以晶片級封裝件制造LED的方法的研究。

發(fā)明內(nèi)容

所提供的是晶片級發(fā)光裝置封裝件及其制造方法。

在下面的描述中，附加方面將被部分地闡述，部分通過描述將是明顯的，或者可以通過提出的實施例的實踐而獲知。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種晶片級發(fā)光裝置封裝件，該晶片級發(fā)光裝置封裝件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)；多個電極焊盤，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上；聚合物層，形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述相對表面上以覆蓋電極焊盤和發(fā)光結(jié)構(gòu)，并且包括形成在聚合物層的與電極焊盤對應(yīng)的區(qū)域中的多個第一通孔；封裝基底，形成在聚合物層上并包括在封裝基底的與第一通孔對應(yīng)的區(qū)域中的多個第二通孔；以及多個電極，形成在第一通孔和第二通孔中并電連接到電極焊盤。

第一通孔可以形成在與電極焊盤對應(yīng)的位置處并可以暴露電極焊盤的部分。

第二通孔可以連接到第一通孔并可以暴露電極焊盤的部分。

所述晶片級發(fā)光裝置封裝件還可以包括在第一通孔的內(nèi)壁與電極之間以及在第二通孔的內(nèi)壁與電極之間的絕緣層。

聚合物層可以由光敏聚合物材料形成。

電極可以形成在第一通孔和第二通孔的內(nèi)壁上并可以電連接到電極焊盤。

可以通過用導(dǎo)電材料填充第一通孔和第二通孔來形成電極，并且電極可以電連接到電極焊盤。

發(fā)光結(jié)構(gòu)還可以包括波紋結(jié)構(gòu)。

所述晶片級發(fā)光裝置封裝件還可以包括在發(fā)光結(jié)構(gòu)上的磷光體層和光學(xué)透鏡中的至少一個。

絕緣層可以由光敏有機材料形成。

發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括：n型半導(dǎo)體層；有源層，形成在n型半導(dǎo)體層上；以及p型半導(dǎo)體層，形成在有源層上，其中，電極焊盤包括：n型電極焊盤，在n型半導(dǎo)體層上并與有源層和p型半導(dǎo)體層分隔開；以及p型電極焊盤，在p型半導(dǎo)體層上。

發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括：n型半導(dǎo)體層；有源層，形成在n型半導(dǎo)體層上；以及p型半導(dǎo)體層，形成在有源層上，其中，電極焊盤包括：n型電極焊盤，在n型半導(dǎo)體層上并與有源層和p型半導(dǎo)體層分隔開；以及p型電極焊盤，在p型半導(dǎo)體層上，并且n型半導(dǎo)體層通過填充在形成于n型半導(dǎo)體層的部分、p型半導(dǎo)體層和有源層中的至少一個通孔中的第一導(dǎo)體連接到n型電極焊盤，并且p型半導(dǎo)體層通過形成在p型電極焊盤的下表面上的第二導(dǎo)體連接到p型電極焊盤。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造晶片級發(fā)光裝置封裝件的方法，所述方法包括下述步驟：在基底上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的發(fā)光表面的相對表面上形成多個電極焊盤；在發(fā)光結(jié)構(gòu)的表面上形成聚合物層以覆蓋電極焊盤和發(fā)光結(jié)構(gòu)；在聚合物層中與電極焊盤對應(yīng)的區(qū)域中形成多個第一通孔；將封裝基底結(jié)合到聚合物層上；在封裝基底中與第一通孔對應(yīng)的區(qū)域中形成多個第二通孔；在第一通孔和第二通孔的內(nèi)壁上形成連接到電極焊盤的電極；從發(fā)光結(jié)構(gòu)除去基底；以及將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個發(fā)光裝置封裝件。

形成第一通孔的步驟可以包括通過第一通孔暴露電極焊盤的部分。

形成第二通孔的步驟可以包括將第二通孔連接到第一通孔并通過第一通孔和第二通孔暴露電極焊盤的部分。

所述方法還可以包括在第一通孔的內(nèi)壁與電極之間以及第二通孔的內(nèi)壁與電極之間形成絕緣層。

可以由光敏聚合物材料形成聚合物層。

可以通過使用從由激光鉆孔、干蝕刻和濕蝕刻組成的組中選擇的工藝來形成第二通孔。

可以通過使用激光剝離方法和拋光方法中的一種方法來執(zhí)行除去基底的步驟。

所述方法還可以包括通過使用蝕刻方法和光刻方法中的一種方法在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成波紋結(jié)構(gòu)。

所述方法還可以包括在將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個發(fā)光裝置封裝件之前在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成磷光體層的步驟。

所述方法還可以包括在將發(fā)光結(jié)構(gòu)和封裝基底分成多個發(fā)光裝置封裝件之前在發(fā)光結(jié)構(gòu)上形成光學(xué)透鏡的步驟。

可以由光敏有機材料形成絕緣層。