[發(fā)明專利]一種獲得超材料折射率分布的方法及其裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110396274.3 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103134774A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉若鵬;季春霖;岳玉濤;李勇祥 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳光啟高等理工研究院 |
| 主分類號(hào): | G01N21/41 | 分類號(hào): | G01N21/41 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 獲得 材料 折射率 分布 方法 及其 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及超材料領(lǐng)域,特別是涉及一種獲得超材料折射率分布的方法及其裝置。
背景技術(shù)
超材料(metamaterial)是一個(gè)融合了電磁、微波、太赫茲、光子、先進(jìn)工程設(shè)計(jì)、通信等學(xué)科的高度交叉的新興領(lǐng)域。
在研究材料對(duì)其他電磁波比如微波的響應(yīng)的時(shí)候,材料中任何尺度遠(yuǎn)小于電磁波波長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)對(duì)電磁波的作用都可以用材料的整體參數(shù)介電常數(shù)ε和磁導(dǎo)率μ來描述。而在一般情況下,介電常數(shù)和磁導(dǎo)率又由每個(gè)微結(jié)構(gòu)對(duì)電磁波的響應(yīng)決定。如果通過對(duì)材料中微結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)使材料具有所需要的任意介電常數(shù)和磁導(dǎo)率分布,這也就是超材料。
材料的介電常數(shù)和磁導(dǎo)率的分布可以通過材料中各點(diǎn)的折射率n的分布體現(xiàn)出來。現(xiàn)有技術(shù)是通過麥克斯韋爾方程和程函方程得到有關(guān)折射率n的偏微分方程,然后數(shù)值求解得到折射率n的分布,此過程比較繁瑣復(fù)雜?;蛘咄ㄟ^人工重復(fù)進(jìn)行設(shè)置數(shù)值、仿真數(shù)值、調(diào)整數(shù)值、再次仿真數(shù)值直至得到最優(yōu)結(jié)果的方式,,來設(shè)計(jì)超材料,此設(shè)計(jì)過程帶有盲目性,浪費(fèi)大量的人力物力財(cái)力,并且不一定可以找到所需要的目標(biāo)超材料。
因此,有必要提供一種獲得超材料折射率分布的方法及其裝置,有效的解決上述存在的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種獲得超材料折射率分布的方法及其裝置,能夠很簡(jiǎn)單地、有目標(biāo)、有針對(duì)性的獲得滿足要求的超材料。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種獲得超材料折射率分布的方法,包括:采用仿真方式使電磁波透過所述超材料;獲取用以描述和衡量所述超材料對(duì)電磁波響應(yīng)的數(shù)據(jù),包括所述超材料相對(duì)于電磁波傳輸方向的后表面的實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù);獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息;若所述實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息未達(dá)閾值時(shí),改變所述超材料的折射率分布,并返回采用仿真方式使電磁波透過所述超材料的步驟,并循環(huán),直至所述實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息達(dá)到閾值。
其中,所述改變超材料的折射率分布的步驟包括:通過n個(gè)點(diǎn)插值的方式來擬合所述超材料的折射率分布,并且通過改變所述n個(gè)點(diǎn)中任何一個(gè)或以上個(gè)點(diǎn)的插值來改變折射率分布。
其中,所述改變n個(gè)點(diǎn)中任何一個(gè)或以上個(gè)點(diǎn)的插值來改變折射率分布的步驟包括:采用交叉熵算法改變所述n個(gè)點(diǎn)中任何一個(gè)或以上個(gè)點(diǎn)的插值來改變折射率分布。
其中,所述獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息的步驟包括:采用評(píng)價(jià)函數(shù)來衡量并獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息。
其中,所述采用評(píng)價(jià)函數(shù)來衡量并獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息的步驟包括:采用評(píng)價(jià)函數(shù)來衡量并獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)兩數(shù)據(jù)曲線夾住的面積。
其中,所述獲取用以描述和衡量超材料對(duì)電磁波響應(yīng)的數(shù)據(jù)的步驟包括:利用matlab軟件和comsol軟件的接口提取出comsol軟件內(nèi)仿真得到的數(shù)據(jù),以獲取用以描述和衡量所述超材料對(duì)電磁波響應(yīng)的數(shù)據(jù)。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種獲得超材料折射率分布的裝置,包括:仿真測(cè)試模塊,用于采用仿真方式使電磁波透過所述超材料;數(shù)據(jù)采集模塊,用于獲取用以描述和衡量所述超材料對(duì)電磁波響應(yīng)的數(shù)據(jù),包括所述超材料相對(duì)于電磁波傳輸方向的后表面的實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù);差距分析模塊,用于獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息;判斷模塊,用于在所述實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息未達(dá)閾值時(shí),改變所述超材料的折射率分布,并返回仿真測(cè)試模塊的步驟,并循環(huán),直至所述實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息達(dá)到閾值。
其中,所述判斷模塊具體用于通過n個(gè)點(diǎn)插值的方式來擬合所述超材料的折射率分布,并且通過改變所述n個(gè)點(diǎn)中任何一個(gè)或以上個(gè)點(diǎn)的插值來改變折射率分布。
其中,所述差距分析模塊具體用于采用評(píng)價(jià)函數(shù)來衡量并獲取實(shí)驗(yàn)相位分布數(shù)據(jù)與目標(biāo)相位分布數(shù)據(jù)之間的差距信息。
其中,所述數(shù)據(jù)采集模塊具體是利用matlab軟件和comsol軟件的接口提取出comsol軟件內(nèi)仿真得到的數(shù)據(jù),以獲取用以描述和衡量所述超材料對(duì)電磁波響應(yīng)的數(shù)據(jù)。
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- 同類專利
- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)





