[發明專利]紅外線檢測元件和紅外線成像裝置無效
| 申請號: | 201110391559.8 | 申請日: | 2011-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN102569634A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 若林稔;椛澤秀年;齊藤政宏 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L37/00 | 分類號: | H01L37/00;H01L37/02;H04N5/33 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紅外線 檢測 元件 成像 裝置 | ||
1.一種紅外線檢測元件,包括:
熱電元件;
上部電極和下部電極,被設置為具有所述熱電元件夾在所述上部電極和所述下部電極之間的位置關系;以及
開口功能部,在所述上部電極上形成使得所述上部電極的膜厚度變小或為零。
2.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,所述開口功能部對所述上部電極的開口率約為30%至70%。
3.根據權利要求2所述的紅外線檢測元件,其中,所述上部電極由Pt、Ti、Cr、Al、Au和Cu中的一種構成。
4.根據權利要求3所述的紅外線檢測元件,還包括設置在所述熱電元件與所述上部電極之間的保護透射膜。
5.根據權利要求4所述的紅外線檢測元件,其中,所述保護透射膜由Ti或Cr構成。
6.根據權利要求5所述的紅外線檢測元件,還包括在所述上部電極的上表面上的紅外線吸收膜。
7.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,至少對所述熱電元件的上表面中由所述開口功能部開口的區域或對所述上部電極的上表面或下表面給出至少具有等于或小于被設為檢測對象的紅外線的波長的節距的凹凸。
8.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,在所述上部電極上形成的所述開口功能部的數量為1。
9.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,在所述上部電極上形成多個所述開口功能部。
10.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,所述開口功能部被形成為使得所述上部電極的厚度為零。
11.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,所述開口功能部是使所述上部電極變薄的凹部。
12.根據權利要求1所述的紅外線檢測元件,其中,所述熱電元件為錐形。
13.一種紅外線成像裝置,包括:
成像元件,包括設置在成像面上的多個紅外線檢測元件;
成像光學系統,在所述成像面上聚集紅外線;以及
圖像信號獲取單元,基于根據所述紅外線的聚集由所述紅外線檢測元件獲得的電荷的檢測結果獲得紅外線攝像圖像信號,
其中,所述成像元件的所述紅外線檢測元件包括:熱電元件;上部電極和下部電極,被設置成具有所述熱電元件夾在所述上部電極和所述下部電極之間的位置關系;以及開口功能部,在所述上部電極上形成使得所述上部電極的膜厚度變小或為零。
14.根據權利要求13所述的紅外線成像裝置,其中,所述上部電極由Pt、Ti、Cr、Al、Au和Cu中的一種構成。
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