[發明專利]激光二極管器件

無效

• 申請號: 201110391356.9
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN102545036A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 大木智之;渡邊秀輝;幸田倫太郎;倉本大;橫山弘之
• 申請（專利權）人: 索尼公司;國立大學法人東北大學
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋;梁韜

1.一種激光二極管器件，包括：

層壓結構，其中，第一化合物半導體層、第三化合物半導體層和第二化合物半導體層順次層疊，所述第一化合物半導體層具有第一導電型并且由GaN化合物半導體構成，所述第三化合物半導體層具有由GaN化合物半導體構成的發光區和可飽和吸收區，而所述第二化合物半導體層具有與所述第一導電型不同的第二導電型并且由GaN化合物半導體構成；

第二電極，形成在所述第二化合物半導體層上；和

第一電極，電連接至所述第一化合物半導體層，

其中，所述層壓結構具有脊條結構，

所述第二電極被隔離槽分隔為第一部分和第二部分，所述第一部分用于通過經由所述發光區將直流電流施加至所述第一電極以獲得正向偏壓狀態，所述第二部分用于將電場加至所述可飽和吸收區，并且

滿足1＜W₂/W_MIN，其中，所述脊條結構的最小寬度是W_MIN，并且在所述第二電極的所述第二部分和所述隔離槽之間的界面中，所述第二電極的第二部分的脊條結構的寬度是W₂。

2.根據權利要求1所述的激光二極管器件，其中，滿足1.5≤W₂/W_MIN≤20。

3.一種激光二極管器件，包括：

層壓結構，其中，第一化合物半導體層、第三化合物半導體層和第二化合物半導體層順次層疊，所述第一化合物半導體層具有第一導電型并且由GaN化合物半導體構成，所述第三化合物半導體層具有由GaN化合物半導體構成的發光區和可飽和吸收區，而所述第二化合物半導體層具有與所述第一導電型不同的第二導電型并且由GaN化合物半導體構成；

第二電極，形成在所述第二化合物半導體層上；和

第一電極，電連接至所述第一化合物半導體層，

其中，所述層壓結構具有脊條結構，

所述第二電極被隔離槽分隔為第一部分和第二部分，所述第一部分用于通過經由所述發光區將直流電流施加至所述第一電極以獲得正向偏壓狀態，所述第二部分用于將電場加至所述可飽和吸收區，并且，

在所述脊條結構的兩側上設置有暴露所述第二化合物半導體層的第二化合物半導體層暴露區，并且

滿足1＜L₂/L_1-ave，其中，從第三化合物半導體層的構成所述發光區的部分到所述第二化合物半導體層暴露區的頂面的平均距離是L_1-ave，并且在所述第二電極的第二部分和所述隔離槽之間的界面中，從所述第三化合物半導體層的構成所述可飽和吸收區的部分到所述第二化合物半導體層暴露區的頂面的距離是L₂。

4.根據權利要求3所述的激光二極管器件，其中，滿足1.1≤L₂/L_1-ave≤2.0。

5.根據權利要求3所述的激光二極管器件，其中，滿足2.0≤D₂/D_1-ave≤3.5，其中，所述發光區中的所述第二化合物半導體層暴露區沿著與所述脊條結構的軸線方向垂直的方向的平均寬度是D_1-ave，并且在所述第二電極的第二部分和所述隔離槽之間的界面中，所述可飽和吸收區中的所述第二化合物半導體層暴露區沿著與所述脊條結構的軸線方向垂直的方向的寬度是D₂。

6.根據權利要求4所述的激光二極管器件，其中，滿足2.0≤D₂/D_1-ave≤3.5，其中，所述發光區中的所述第二化合物半導體層暴露區沿著與所述脊條結構的軸線方向垂直的方向的平均寬度是D_1-ave，并且在所述第二電極的第二部分和所述隔離槽之間的界面中，所述可飽和吸收區中的所述第二化合物半導體層暴露區沿著與所述脊條結構的軸線方向垂直的方向的寬度是D₂。