[發明專利]記憶元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110391005.8
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN103137659A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 顏士貴
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種記憶元件，其特征在于其包括：

一柵極，位于一基底上；

一柵介電層，位于該柵極與該基底之間，其中在該柵介電層兩側、該柵極下方及該基底上方具有一空隙；以及

二電荷儲存層，各該電荷儲存層包括一主體部、一第一延伸部與一第二延伸部，各該主體部位于各該空隙中，各該第一延伸部與各該主體部連接并且突出于該柵極的側壁，各第二延伸部與所對應的該第一延伸部連接，且向上延伸至該柵極的側壁，其中各該第一延伸部的邊緣區域突出于所對應的各該第二延伸部的側壁。

2.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于還包括二摻雜區，位于該柵極兩側的該基底中，其中各該電荷儲存層的該第一延伸部與該第二延伸部位于所對應的該摻雜區上方。

3.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于還包括：二襯層，分別位于該柵極與各該電荷儲存層的該第二延伸部之間；以及二間隙壁，位于該第一延伸部上方，分別使該第二延伸部夾于所對應的該襯層與該間隙壁之間。

4.根據權利要求1所述的記憶元件，其特征在于其中所述的主體部的長度與該第一延伸部的長度的比值為2∶1至5∶1。

5.一種記憶元件，其特征在于其包括：

一柵極，位于一基底上；

一柵介電層，位于該柵極與該基底之間，其中在該柵介電層兩側、該柵極下方以及該基底上方形成一空隙；

二電荷儲存層，各該電荷儲存層包括一主體部與一延伸部，各該主體部位于各該空隙中，各該延伸部與各該主體部連接并且突出于該柵極的側壁；以及

二襯層，位于該柵極的側壁，且各該電荷儲存層的該延伸部的邊緣區域突出于該襯層的側壁。

6.根據權利要求5所述的記憶元件，其特征在于還包括二摻雜區，位于柵極兩側的該基底中，其中各該電荷儲存層的該延伸部延伸至所對應的該摻雜區上方。

7.根據權利要求5所述的記憶元件，其特征在于其中所述的主體部的長度與該延伸部的長度的比值為2∶1至5∶1。

8.一種記憶元件的制造方法，其特征在于其包括以下步驟：

在一基底上形成一柵介電層以及位于該柵介電層上的一柵極，其中在該柵介電層兩側、該柵極下方以及該基底上方形成一空隙；

形成二電荷儲存層，各該電荷儲存層包括一主體部與一第一延伸部，各該主體部位于各該空隙中，各該第一延伸部與各該主體部連接并且突出于該柵極的側壁；以及

在該柵極兩側的該基底中形成二摻雜區，各該電荷儲存層的該第一延伸部延伸到所對應的該摻雜區上方。

9.根據權利要求8所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中各該電荷儲存層還包括一第二延伸部，各該第二延伸部與該第一延伸部連接，且向上延伸至該柵極的側壁，其中各該第一延伸部的邊緣區域突出于所對應的各該第二延伸部的側壁。

10.根據權利要求9所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中各該電荷儲存層的該第一延伸部與該第二延伸部位于所對應的該摻雜區上方。

11.根據權利要求8所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中在形成該些電荷儲存層之前，還包括形成一襯材料層，覆蓋該基底的表面、該柵介電層的側壁、該柵極的底部、側壁以及上表面，各該電荷儲存層的該第一延伸部的邊緣區域突出于位于該柵極側壁的該襯材料層。

12.根據權利要求11所述的記憶元件的制造方法，其特征在于其中形成該些電荷儲存層的步驟包括：

形成一電荷儲存材料層，覆蓋于該襯材料層上且填滿該空隙；

形成一間隙壁材料層，覆蓋于該電荷儲存材料層上；以及

非等向蝕刻移除該間隙壁材料層、該電荷儲存材料層以及該襯材料層，以裸露出該柵極以及該基底的表面，留下二間隙壁、該些電荷儲存層及二襯層。

13.根據權利要求8所述的記憶元件的制造方法，其特征在于還包括在該柵極的側壁形成二襯層，其中各該電荷儲存層的該第一延伸部突出于對應的該襯層的側壁。