[發明專利]一種硅薄膜異質結太陽電池及其制作方法無效
| 申請號： | 201110390864.5 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102437225A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 沈輝;劉超;梁齊兵;艾斌 | 申請（專利權）人： | 中山大學 |
| 主分類號： | H01L31/072 | 分類號： | H01L31/072;H01L31/20;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人： | 羅毅萍 |
| 地址： | 510006 廣東省廣州市番禺*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜 異質結 太陽電池 及其 制作方法 | ||
1.一種硅薄膜異質結太陽電池，其特征在于：包括具有導電薄膜的襯底，所述襯底的導電薄膜上設有第一晶體硅薄膜層，所述該第一晶體硅薄膜層上依次設有本征非晶體硅薄膜層、第二晶體硅薄膜層和透明導電薄膜層，所述透明導電薄膜層上設有金屬電極。
2.根據權利要求1所述的硅薄膜異質結太陽電池，其特征在于：所述第一晶體硅薄膜層為p型晶體硅薄膜層，與之對應的，所述第二晶體硅薄膜層為n型晶體硅薄膜層。
3.根據權利要求1所述的硅薄膜異質結太陽電池，其特征在于：所述第一晶體硅薄膜層為n型晶體硅薄膜層，與之對應的，所述第二晶體硅薄膜層為p型晶體硅薄膜層。
4.根據權利要求1至3任一項所述的硅薄膜異質結太陽電池，其特征在于：第一晶體硅薄膜層及第二晶體硅薄膜層的厚度為10～100nm。
5.根據權利要求1至3任一項所述的硅薄膜異質結太陽電池，其特征在于：所述本征非晶體硅薄膜層厚度是100～1000nm。
6.根據權利要求1所述的硅薄膜異質結太陽電池的制作方法，其具體步驟是：
(1)將晶體硅層沉積到有導電薄膜層的襯底上，然后通過激光誘導或金屬誘導或晶化方式晶化成第一晶體硅薄膜層；
(2)在第一晶體硅薄膜層上通過物理或化學沉積制備本征非晶體硅薄膜層；
(3)在本征非晶體硅薄膜層上通過物理或化學沉積晶體硅層，用激光誘導或金屬誘導或晶化方式晶化成第二晶體硅薄膜層；
(4)在第二晶體硅薄膜層形成的電池活性層上沉積一層透明導電薄膜，然后金屬制備前電極，完成硅薄膜異質太陽電池的制作；
(5)封裝成為硅薄膜異質太陽電池組件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
